p沟道增强型mos管符号（p沟道增强型mos场效应管）

发布时间：2023-08-02

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MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。

从寄生二极管的方向判断，N沟道是由S极指向D极，P沟道是由D极指向S极。MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。

pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。

p沟道增强型mos管符号（p沟道增强型mos场效应管）

1、f9530n是mos管，不是三极管。f9530n是非常常见的管子，一般在电子市场都有卖的。直接买同型号的替换即可。

2、三极管的导通电阻和温度是负系数关系，电流越大，导通电阻越小，很容易造成二次击穿，就没有这种自动均流的效应了。

3、三极管能否导通，不是看基极电压是几V，而是基极和发射极之间的压差，也就是Vbe=0.7V 。三极管进入放大状态的关键：发射结正偏，集电结反偏。基极：基极是半导体三极管的电极。

4、可以，但由于实际三极管参数有差别，只能做参考。以最简单的共发射极电路为例：在电源电压和最大集电极电流之间做一直线，按基极电流找对应交叉点即为静态工作点。

5、三极管主要参数有4个：最大耐压VCEO.一般取工作电源电压的2-3倍，最大集电极电流ICM，一般取最大工作电流的2-5倍，最大集电极耗散功率PCM.就是上面说的。

MOS管的特性：它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，导通电阻都很小。

所以N型s极经常接地，g极常有弱下拉。同理P型管要让它饱和导通或深度截止，S-G的压差也要维持在特定范围。开关电源的控制芯片除了产生带死区推挽式脉冲外，就是让所产脉冲符合上述要求的电压。

常见pwm驱动mos管开关电路：只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部有寄生电容有时候为了加速电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管。

是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。