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mos管的输入电容（mos管的输入电容怎么算高级cmos逻辑设计）

发布时间：2023-08-02
阅读量：32

本文目录一览：

mos管温度和电池温度

主要是MOS的电压，电流与温度。当然就是牵扯到MOS管的选型了。MOS的耐压当然要超过电池组的电压，这是必须的。电流讲的是在通过额定电流时MOS管体上的温升了一般不超过25度的温升，个人经验值，只供参考。

工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 12N65是TO-220封装系列。它的本体长度为187mm，加引脚长度为257mm，宽度为66mm，高度为0mm，脚间距为54mm。

彦阳保护板放电mos温度多少？放电温度：-40~+55℃。

mos管电容尖峰电压频率是多少正常

漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。

V或48V的平台，都有选用75V的MOS。220V的交流，一般选600V或900V的MOS。MOS当开关电源使用，电感上的电压为锯齿波形，但是是平滑而不带尖峰的。

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。根据查询相关公开资料显示：mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。

IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（3205 60V；540 100V)如果耐压满足的话就选3205。 频率最大可到100K，一般选50K较合适。

2n60c用什么代换

1、N60是2A600V功率管，10N60是10A600V功率管，以大换小肯定是没问题。而且还不容易发热。因功率余量大，所以也会延长管子的使用寿命。只不过用10A的管子代换2A的管子确实是大材小用，有点浪费。用4N60就可以了。

2、两者都是场效应管，前者耐压700V，电流7安，后者耐压600V，电流2安，可以前者代替后者。

3、N60C可以替代2N60的。2N60是功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS(on) ≤ 1 Ω、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。

4、可以用任何最大漏极电流不小于2A、最大漏源电压不低于600V的N沟道场效应管来替代。

5、用2N90应该可以代换。可能其它地方还有问题。

为什么mos管的输入电阻很高?

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。

阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。

mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。

N沟道MOS管的结构及工作原理N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。

以IRS2902S作D类功放驱动,以场效应管做功率放大,那么,栅极所串的二极管...

1、这样简化了栅极驱动器设计并且允许按照理论上的全功率安全工作。尽管如此，1 bitΣ-Δ调制在d类放大器中不经常使用(参看深入阅读资料4)，因为传统的1 bit调制器只能稳定到50%调制。

2、D类功放是放大元件处于开关工作状态的一种放大模式，在音质方面，D类功放的透明度、解析力，背景的宁静、低频的震撼力度是传统功放不可比拟的。但是D类功放也有缺点，它并不像宣传的那么完美，它的失真敏感性高。

3、一样要加大散热片，和三极管比并没有明显的优势，再则你这里用了运放，运放不但需要工作电源，还需要基准源，方案也不是最佳的，最好的方案是LM317+PNP三极管，三极管加大散热片，输出用快速可恢复二极管反向保护。

4、图2所示电路增加了一个电阻和齐纳二极管，用来对IN的电压进行箝位。如果增加一个三极管缓冲器(图3)，就可以降低对并联稳压器电流的需求，但也提高了设计成本。

5、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。

关键词：电容 电阻 mos管 输入电容 输入电阻

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