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mos管导通压降（mos管 压降）

发布时间：2023-08-02
阅读量：42

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MOS管的压降是指什么?2N60跟4N60相比哪个的压降大?

1、MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。

2、n60c可以用K2645，K719，K794或fqp4n60c，fqp5n60c等代用。2n60c三极管是VMOS场效应管，其漏极电流是2A，耐压值是600V。

3、晕，2A算大电流...MOS跟三极管很不一样，额定电流普遍比三极管大得多，2A那简直是小电流了，MOS管中额定电流在几十安培的比比皆是。

4、作用目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。

5、MOS管与一般晶体三极管是不同的。它是电压控制元件，它是栅极电压控制的是S-D极间的体电阻。在栅极施加不同的电压，源-漏极之间就会有电阻的变化，这就是MOS管的工作原理。

6、导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

哪个型号的pmos管导通压降比较低,求,谢谢各位了

si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为3A时，压降约为.03欧姆。

MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。 你可以用两只MTP50P03并联使用（加均流电阻）。

你这个是不是要的是Vgs（th）=2-4V呢，而不是Vgs=2-4V。Vgs（th）是MOS管的开启电压，一般来说，只有Vgs（th）才会这么小的。

ao3400，N沟道的场效应管，sot23封装，30V耐压，导通电阻100毫欧，过100mA电流时压降不到10mV。

统称为PMOS晶体管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。

笔记本常用的电源管就不错。FDS6990，双N。FDS6690，单N。IRF7831，IRF7832，单N。TPC8111和FDS4435，单P。

如何把Mos管导通时电压降控制在最小。

因此，如果我们想让MOS管导通，需要将G端连接到高电平电源。要使MOS管的使能端为低电平，可以通过连接一个电阻器来将使能端连接到地面。当地面电势为低电平时，使能端口的电势也为低电平，从而使得MOS管工作被禁止。

一般市面上最常见的是增强型N沟通MOS管，你可以用一个电压来控制G的电压，MOS管导通电压一般在2-4V，不过要完全控制，这个值要上升到10V左右。给你推荐一种方法。

N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。

对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。

用G极的控制电压来控制MOS管的导通，饱和，截止等状态。使得D极的输入电压，在S极的输出电压上体现出不同的状态。

关键词：体电阻 IC芯片 电阻 均流电阻 mos管 pmos管 晶体三极管 电阻的 导通电阻

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