pmos管（mos管示意图）

发布时间：2023-05-19

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1、PMOS，NMOS，CMOS，BIOS的主要区别在导通特性，开关管损失，驱动方面导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

2、NMOS和PMOS的版图区别在于PMOS要形成P沟道（PNP），所需载流子为空穴，开关速度慢。NMOS要形成N沟道（NPN），所需载流子为电子e，开关速度快。NMOS为N型金属—氧化物—半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。

3、PMOS也叫PTFT，源漏端是P型掺杂，栅极下面，也就是沟道中，是N型掺杂。NMOS也叫NTFT，源漏端是N型掺杂，栅极下面，也就是沟道中，是P型掺杂。通常，N型掺杂用的是磷元素，P型掺杂用的是硼元素。

4、可以根据电流的方向来判断，从管子中流出的为NMOS管。还可以根据电流的方向来判断，流入管子的为PMOS管。

5、简单判断：看箭头方向，向内的为NMOS，箭头向外的为PMOS。该电路中场效应管有PMOS，也有NMOS。

6、导致大电流的pmos相对难做一些，因而成本比较高，我个人估计差不多差两三倍。（原因是pmos的载流子是空穴、以及一些掩膜方面的区别），所以一般pmos电流相对小些。

pmos管（mos管示意图）

NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor，意思为N型金属氧化物半导体，拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

所谓孤立的pmos管，就是没有与集成电路构成电的连接。这往往是版图设计师为了设计或工艺的需要，利用空闲的面积，所安排的测试用元件。这样的测试管一般有为了便于用探针测试的测试点。

输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。结型场效应管（JFET）结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

1、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

2、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

3、这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。

4、D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。