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这些大功率的进口的比较多,台湾也有几个品牌。这个有20A,29A,30A,33A,34A,38A,45A,600V47A MOS管,50A,55A,60A。海飞乐技术封装这些MOS。
V MOS管 或者 650V MOS管 海飞乐技术,台湾芯片,质量可靠。
V53A,600V55A,600V57A,600V60A的MOS,600V63A,600V67A,600V70A,600V72A的MOS,600V74A,600V77A,600V80A,600V85A,600V88A的MOS,600V90A,600V95A,600V100A,600V110A,600V120A的MOS管。
ASEMI高压MOS管20N60的规格参数。20N60是一款600V、20A的N沟道高压MOS管,采用TO-247封装。TO-247封装是一种大功率晶体管封装,外形为长方体,尺寸大约为17mm x 8mm x 2mm。
法则之四:选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。
Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
从而实现DC/AC、DC/DC电压变换,以及输出电压可调和自动稳压。作为在开关电源芯片中起稳压作用的mos管,应该具备低电荷、低反向传输电容以及开关速度快的特性,才能使电源较好发挥,详参飞虹电子。
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。
选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外,还应选择合适的电压和电流容量,以适应实际应用的需求。
首先,确定降压电路的最大输入电压,MOS管的耐压,需大于等于3倍以上输入电压,确保MOS管不会被击穿。然后,再确定输出电流大小,根据电流大小,尽可能选择低内阻MOS管,这意味着其允许输出电流越大,发热越小。
如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
1、BLF861A 高频大功率发射管,SOT540A封装,功率为150W,频率为860M ,电压32V,电流18A。
2、常用进口高频中大功率晶体管型号2SA632SA632SA648A、2SA670、2SB940、2SB732SC2062SC2252SC2372SD1266A、2SD962SD882S8050、S8550、BD13BD136等型号。
3、耗尽型场效应管 :具有一个或多个在电气上与沟道相互绝缘的栅极的场效应半导体器件。
4、常用功率放大三极管很多.国产型号有3DD..,3DA..开头的。如3DD15C.其中3DD是低频大功率管.3DA是高频大功率管.由于我国引进的生产线大部分是日本国家的。大部分是日本型号2SC或2SD开头的。
5、悠唐8900型号。根据查询相关公开信息显示,场效应管功放机有悠唐品牌8900号。场效应管功放机是一种使用场效应管的放大器,优点是能提供高的输入阻抗以及低输出阻抗。
选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。
如果楼主对声音的要求一般,只要声音大,失真不算高就行的话,TDA7294或者LM3886接为OCL电路是不错的选择,必竟价格低,而且声音也是很不错的,性价比高。如果楼主对声音要求很高的话,那就不推荐用集成功放模块了。
VMOS管的漏源击穿VBR(DSS)可做得较高,当出现异常情况时,不易损坏。
更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
如果你对音质有很高的要求,我觉得,还是考虑A类,AB类和B类功放比较好,在这些电路中,三极管的频响特性(决定音质)要比MOS管好得多,现实中的好功放大都是三极管做的,用MOS管的极少。
1、MOSFET模块简称MOS模块,一般采用SOT-227封装,海飞乐技术封装碳化硅MOS管,SIC MOS模块,包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点:开关速度快,安全工作区宽,热稳定性好,线性控制能力强,电压控制。
2、这些大功率的进口的比较多,台湾也有几个品牌。这个有20A,29A,30A,33A,34A,38A,45A,600V47A MOS管,50A,55A,60A。海飞乐技术封装这些MOS。
3、V/180A、150V/110A、100V/180A 、100V/150A、100V/120A、85V/210A 、80V/250A、200V/40A、100V/250A、60V/300A、40V/300A、-100V/60A、60V/80A、60V/120A 、60V/100A、40V/120A 、100V/15A 海飞乐MOS管。
4、海飞乐技术有很多规格参数:20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有:TO-220,TO-247,TO-3P,SOT-227。台湾工研院技术支持。
5、这是N沟道功率型场效应管,重要参数:源漏极电压:75V 漏极电流:80A 导通电阻:RDS(ON)=8m (typ.) @ VGS=10V MOS管的种类很多,电压区分,电流区分,功率区分。特性:耐压,过电流,最大功率,内阻。
6、V), 600V/50A的MOS管,600V/55A的MOS管(650V),600V/60A的MOS,600V/64A,600V/66A,600V70A,600V/72A(650V)的MOS管,600V/80A,600V/82A,600V/90A,600V/100A,600V/110A的MOS模块。
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