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由此可见，二极管限幅稳压电路可以将输入电压限制在一定的范围内，从而达到稳压的目的。
不能。因为稳压二极管的最大电流只有几十毫安，而电源输出电流通常都在几百毫安以上。
稳压二极管是没有耐压值的，主要是看功率的。例如你说那个2V稳压管，假如是一个1W的管子，那么反向击穿的时候通过二极管的电流就不能超过1/2A，当然也是要有余量的，不然时间久了也是会烧的。
单表测量法。如果稳压二极倍的稳定电压VZ9V，使用一只万用表就可以测量。万用表打到R×10k(内电池电压E=9V)档，黑表笔接稳压管负极，红表笔接正极，稳压二极管处于反向接通状态。
测量方法：将两表棒分别接在二极管的两个电极上，读出测量的阻值；然后将表棒对换再测量一次，记下第二次阻值。
首先我们都知道可以用外观上进行判断，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。
稳压二极管的稳压值测量方法：将待测稳压管的正负极分别接触到万用表的表笔正负极上，万用表所显示的电压值则为稳压管的稳压值。
测量方法：判别普通稳压管是否断路或击穿损坏，可直接用万用表的Rx100档或Rx1k档测其正向电阻或反向电阻，看其阻值的大小进行判断。
1、电力系统电压调整的常用方法有三种。增属无功功率进行调压，如发电机、调相机、开联电容器、并联电抗器调压。改变有功功幸和无功功率的分市进行闹压。如调压实压器、改变变压器分接头调压。
2、在光电效应中，遏止电压可以通过几种方法来求出。其中一种方法是使用阈值公式，该公式可以用来计算遏止电压的值。另一种方法是通过实验测量的方法，即在实验室中通过实际测量来求出遏止电压的值。
3、高压—指设备对地电压在250V以上者。我国的一些设计、制造的安装规程通常是以1000V（或略高）为界限来划分电压高低的。一般规定：低压—指额定电压在1000V及以下者；高压—指额定电压在1000V以上者。
4、如调压变压器、改变变压器分接头调压；改变网络参数进行调压，如串联电容器、投停并列运行变压器、投停空载或轻载高压线路调压。特殊情况下有时采用调整用电负荷或限电的方法调整电压。
该电路是利用了二极管的导通与截止实现限幅作用。当输入电压低于E时二极管不导通，测得的输出电压就等于输入电压：当输入电压高于E时二级管导通，输出电压就为E两端的电压。
所谓限幅电路就是限制电路中某一点的信号幅，度大小，让信号幅度大到一定程度时，不让信号的幅度再增大，当信号的幅度没有达到限制的幅度时， 限幅电路不工作。利用二极管来完成这一功能的电路称为二极管限幅电路。
限幅电路的工作原理如下：所谓限幅电路就是把超过某一幅度值的信号削平，通常是利用非线性元件（如二极管或三极管等）。一个双向二极管限幅电路，若从输入端输入正弦电压信号，高于二极管导通电压的信号就会被削平。
简单一点的说：就是利用二极管的特性 正向导通 的门限电压值来会限幅的。 假如 ：图的两端一个交流信号。 当 左边是正压波 D2 R2 是反向截止不通行，D1R1可以导通。
限幅电路的基本结构包括一个可调电阻和一个二极管。当输入信号的幅度超过限制范围时，二极管会进入导通状态，将多余的电流排出，从而将输出信号的幅度限制在规定范围内。
1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。
3、n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
4、N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
1、最低使用电压，应高于二极管的正向PN结电压。
2、从正向电压变成反向电压时，电流一般不能瞬时截止，要延迟一点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。6）最大功率 最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
3、V的稳压二极管能对多大范围的电压正常工作，取决于电流、功率、电压等多方面。最大输入电压最好不要超出其稳压值的2倍。稳压二极管：半导体稳压二极管(雪崩二极管)的稳压值正是它的反向雪崩击穿电压值。
关键词：串联电容 稳压二极管 二极管的稳压 电阻 二极管限幅 二极管处于 通过二极管的电流 二极管的电流 二极管限压 正向电阻 电容器
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