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本质的区别就是负载能力不同。光电继电器可以接大功率负载，例如灯泡、电机等。而光电耦合器多用在线路板上的信号隔离，主要是为了滤除干扰信号，还有就是输入输出端口的阻抗变换。
光耦信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离，输出信号对输入端无，光耦继电器是用光耦来控制开光状态的固态继电器，光耦继电器可以理解为光耦和可控硅的组合体。型号有MOC302X、MOC305X、MOC306X、MOC308X等进行代换。
区别：光耦：无触点、可操作频率高（速度快）、负载能力小（毫安级）、寿命长 继电器（机械）：有物理触点（接通和分段时可能会产生火花）、可操作频率低、负载能力较强、机械寿命相对较短。
光耦隔离与mos驱动的区别在隔离方式。光耦隔离驱动为电磁隔离，采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离，是一种电路简单可靠，又具有电气隔离作用的电路。mos驱动是光电隔离，受自身参数的影响，频率不能做的很高。
光耦和继电器区别就是前者的输入和输出是隔离的，后者无隔离。但光耦的输出电流较小，一般后面可加上继电器扩大电流。
1、移相全桥控制电路，PWM控制芯片为Ti公司的UCC3895DW，在UCC3895的驱动信号输出端分别接了两个IR公司的IR2113S MOS驱动芯片来精确控制四个开关管的开关，电路清晰规整，焊接质量很高，值得入手。
2、ir2113s引脚图：IR2113s由低端功率晶体管驱动级、高端功率晶体管驱动级、电平转换器、输入逻辑电路组成。它把驱动一高压侧和一低压侧MOSFET或IGBT所需要的绝大部分功能集成在芯片内。
3、Top系列：Top223-Top228三脚可以驱动外部场效应管，Top244-Top258六脚（这个本身已经内置场效应管）。TNY系列，三脚小功率。Viper12A，viper22A，八脚小功率-内置场效应管。
4、在功率变换装置中，根据主电路的结构，功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。
5、电容没什么问题容量也差不多滤波电容C26 C28用1UF的好些C27是自举电容根据频率定10UF差不多。另外这是局部图现在看电路接的好像不对二极管是要给C27充电的，再仔细看下。电容用独石的就行。
两者的最大的区别是光MOS继电器通常需要消耗更多的功率，而光耦则可以有效地抑制功率损耗。此外，光MOS继电器在电路设计中更加复杂，而光耦则可以更简单地控制电源的开关。
光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。
在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。
MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
隔离作用。众所周知，光耦起到信号的隔离作用。
用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外，光耦驱动负载能力有限，大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
东芝光耦有很多种类，高速光耦有：TLP117： 5 V， 50 Mbps/TLP2066： 3 V， 20 Mbps/TLP2116： 5 V， 20 Mbps (2-in-1)。
驱动一个MOS管肯定没问题的。他的输出是两路互补的驱动信号。
MHZ以上的需要用图腾柱驱动或者专用驱动芯片IR2013 ，MOS管一定要选结电容小的高速MOS管，否则无法达到这么高的频率。
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