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1、-测量误差。来源于:测量电流、探针压力、样品的表面处理;2-系统误差。
2、四探针方块电阻(又叫薄膜电阻)测试仪是半导体制造中常用的检测仪器之一,用以测量半导体材料的电阻率和薄膜的方块电阻,同时达到测量半导体薄层材料的掺杂浓度和薄膜厚度、控制器件和集成电路性能的目的。
3、影响电阻或电阻率测试误差的五个主要因素,包括:环境温度和湿度、测试电压(电场强度)、测试时间、测试设备泄漏和外部干扰。a.环境温度和湿度 典型材料的电阻值随着环境温度和湿度的增加而降低。
1、四探针法测量电阻率有个非常大的优点,它不需要较准;有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。
2、通过采用四探针法取代二探针法,尽管电流所走的路径是一样的,但由于消除掉了寄生压降,使得测量变得精确了。四探针法在Lord Kelvin使用之后,变得十分普及,命名为四探针法。
3、是侦探针,工作原理是他的旋转里面有一个齿轮卡住一个圆圈,所以它只能卡住一个圆球,它这个弹球才可以进行,他用这个探针才可以达到一定的测试高度,所以他手持式的试探针工作原理一般都是齿轮式工作原理。
测量半导体电阻率的方法很多,按是否与样品接触可以分为两类,即接触式和非接触式。常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合C-V测量等。
半导体材料上的接触点能够产生二极管效应,从而对吸收的信号进行整流,并将其作为直流偏置显示出来。 3 材料通常对光敏感。 四探针技术 四点同线探针电阻率测量技术用四个等距离的探针和未知电阻的材料接触。
四探针法测方块电阻的原理四探针法是一种简便的测量电阻率的方法。对于一般的线性材料,我们常常用电阻来表征某一段传输电流的能力,其满足以下关系式:(式3-1)其中ρ、l和s分别表示材料本身的电阻率、长度和横截面积。
扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻,主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能。HRMS-800高温四探针电阻率测试仪就是,主要测量的参数就是半导体材料的电阻、电阻率、方块电阻等。
四探针方块电阻(又叫薄膜电阻)测试仪是半导体制造中常用的检测仪器之一,用以测量半导体材料的电阻率和薄膜的方块电阻,同时达到测量半导体薄层材料的掺杂浓度和薄膜厚度、控制器件和集成电路性能的目的。
KDY-1型四探针电阻率/方阻测试仪(以下简称电阻率测试仪)是用来测量半导体材料(主要是硅单晶、锗单晶、硅片)电阻率,以及扩散层、外延层、ITO导电薄膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。
1、厚度越厚,方阻越大。方阻,即方块电阻,方块电阻指一个正方形的薄膜导电材料边到边之间的电阻。
2、电阻计算式可以写成R=Rs(L/W),当L=W时,R=Rs,也就是说,方块电阻实际上表示的是一个正方形薄层边到边的电阻,而且它与正方形的边长无关,只与材料和厚度有关。
3、如果方块电阻的长和宽相同,即L=W,也就是方块为正方形则R=Rs,只与材料和厚度有关,与正方形的边长无关。
4、方块电阻,是膜层的特征参数之一,它的大小与“材料电阻率与膜的厚度之比”成正比。所以方块电阻也与膜的厚度有关。所以,特征导通电阻和方块电阻有区别也有联系。
电压降法 原理是在被测绕组上施加DC电流,在绕组两端产生电压降。测量其绕组两端的电流和电压降,根据欧姆定律计算其DC电阻。这种方法的主要缺点是需要很长时间才能得到测试值。因为充电时间一般需要十几分钟甚至几十分钟。
在中小型变压器的实际测量中,大多采用DC电桥法。当被测线圈的电阻值在1欧姆以上时,一般用单臂电桥测量,1欧姆以下的电阻值用双臂电桥测量。采用双臂电桥接线时,电桥的电位桩头应靠近被测电阻,电流桩头应接在电位桩头上方。
直流电阻测试仪的使用方法:选择量程 本机共设置六档量程,当显示屏显示如图4-1所示的画面时,按 中的一个选择最适当的量程进行测试。这时显示屏上的“量程”呈闪烁状态。
四探针电阻率测试仪其实从专业角度来说,就是高温四探针测量系统。该系统包括高温测试平台、高温四探针夹具、电阻率测试仪和高温电阻率测量软件。三琦高温四探针测量系统是为了满足材料在高温环境下的阻抗特性测量需求而设计的。
HRMS-800高温四探针电阻率测试仪就是,主要测量的参数就是半导体材料的电阻、电阻率、方块电阻等。
四探针方块电阻(又叫薄膜电阻)测试仪是半导体制造中常用的检测仪器之一,用以测量半导体材料的电阻率和薄膜的方块电阻,同时达到测量半导体薄层材料的掺杂浓度和薄膜厚度、控制器件和集成电路性能的目的。
四探针电阻测试仪:用于测量物质的电阻主机采用世界领先的先进电路设计,所测数值更精、更快、更准(一代为传统式电路,缺点:体积大,速度慢,元器件繁多导致影响机器寿命)。
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