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mos管的输出特性曲线（mos管输出特性曲线上翘）

发布时间：2023-08-03
阅读量：28

本文目录一览：

电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区?

1、截止区，放大区，饱和区。截止区 在截止区内，基极电流Ib=0，集电极电流Ic≤Icbo，几乎等于0，仅有极微小的反向穿透电流Iceo流过，硅三极管的Iceo通常都在1μA以下。

2、三极管的特性曲线图分为四个区：饱和区、放大区、截止区、击穿区。一般讨论比较多的是前三个区。三极管的的工作点进入饱和区，三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。

3、电力MOSFET的基本特性(1)静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。

4、主要是在正向阻断区和饱和区之间来回切换，输出特性的三个区域分别为：正向阻断区、有源区和饱和区。绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性，IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。

5、晶体管的输出特性曲线分为放大区，饱和区，截止区。

MOS管输出特性曲线有三个区分别是

1、电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。

2、输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。

3、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

4、一共分四个区：可变阻区；预夹断区；饱和区，恒流区或放大区；截止区或全夹断区。

5、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

6、MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的，MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区，当在可变电阻区和夹断区内工作时，MOS管相当于一个电子开关。

MOS管的datasheet中Ido怎么看

1、你问的应该是，MOS管内部的二极管，反向导通。一般MOS管，衬底由于存在流离的电子、空穴。对D S 都有流向，这个流向可以表示为二极管，即体二极管。然而S和衬底是连在一起的，所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。

2、MOS管栅极不要输入电流，或者说静态输入电流为零。但是该图描述它含有3247pF电容，如果输入PWM信号，应该按照这个电容去考察它的充放电电流。百度到该管的“datasheet”，给出的栅极-源极最高电压+-20V。

3、MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

4、Gate threshold voltage：门极驱动电压 min：1 最小值，2，1V typ：3 典型值 ，3V max：3，9V 最大值，9V 也就是说，1~9V都可以驱动门极。 3V是典型值，也就是推荐值。

MOS管输入输出特性曲线和三极管输入输出特性曲线的参数一样吗?_百度...

1、■三极管的特性曲线曲线就是在不同的基极电流下绘制出来的集电极电流与其集电极电压的关系曲线。因此有几种基极电流，就有几条这种曲线，叫做特性曲线簇。

2、不一样。MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。MOS管比较抽象，是因为绝大部分学校对于MOS的教学比较粗糙，很少教。MOS管特别怕静电，要是不小心，就容易坏，比三极管要难使用。

3、有一定的相似性，但不一样。简单的说：MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。复杂的说：两者都有点类似受控电流源，MOS管是栅源电压控制的电流源，三极管是基极电流控制的电流源。

如何判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区?换句话说判断他们的工作...

判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。

MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

MOS管的4个工作区，你说的不是很确切。应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。

如何区分N沟道增强型MOS管的可变电阻区、夹断区、恒流区

1、）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。

2、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

3、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

4、一共分四个区：可变阻区；预夹断区；饱和区，恒流区或放大区；截止区或全夹断区。

5、可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。

6、三极管 分为截止、 放大 饱和 三个状态 mos管 分为截止 线性 饱和区三个状态 mos管的线性区就是 可变电阻区，其阻抗与栅压成反比；mos管的饱和区是放大区，其电流电压曲线如三极管的放大区。

关键词：三极管的饱和 三极管输入输出 三极管的放大 电阻 硅三极管 三极管的特性 可变电阻 mos管输出

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