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1、MOS管G极接电阻是防止振荡,晶体管接电阻是限流。
2、频率100K以上,必须使用专门的驱动电路(比如,图腾柱方式)或者MOS管专用驱动IC,不然的话MOS管容易烧毁。下拉电阻是防止G极残余电压误导通,不可太大或太小,10K到47K都可以。
3、G:gate栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。
1、场效应管多管并联要配对吗。严格来说应该进行配对的。每个管子的导通电阻,栅压等各项参数均有差异,配对可使每个管子负荷均匀分配防止损坏。但在电路不严格要求下紧需用的时候也可不配对使用。
2、真的需要配对;尤其是功率管,并联应用或推挽(尤其栅极是固定偏压的推挽)的话不配对会造成失真加大,输出功率变小,管子容易损坏。前级的小功率管参数离散性不大,要求低时可不配对。
3、用一个电阻。根据查询并联的相关资料得知,MOS管的GS并联,只用放一颗电阻就行。
4、较为简单的方法是两管并联:分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联,最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻,如图所示。其中RR4由漏极电流决定,使其上的压降1V左右即可。
5、先由电瓶最高总电压确定MOS管耐压,再根据技术要求确定最大电流,根据MOS管的极限参数计算总共需要多少个MOS管,一般都是配对并联使用。图中每一个MOS管可以看作是多个并联。
6、性能完全相同的MOSFET是可以并联的,实际上一只大功率MOSFET就是由成千上万个管芯并联而成的。但是如果各个管芯的性能不一致,那就容易出问题;这时可分别适当串联一个电阻后,再并联,可适当防止某个管芯的烧坏。
1、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区,则交流电阻近似为无穷大,直流电阻也是很大的。
2、因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值(即导数),RDS(on)为硅片表面的接触电阻,RCH为沟道电阻。
3、导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。
4、开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻,它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关,一般计算应是:电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。
5、它是根据输出电阻=输出电压/输出电流,来确定Ro的。上一张图的等效电路有两条支路,又不知道输出端的电流,就采用从输出端看进去的电阻=(1/gm)//Rs。下面那一张图没有支路,输出电压/输出电流=RL。
欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示,1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率。
mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流,因为只是给寄生电容(P法级)充放电而已,栅极电阻倒是必要的,几百欧姆足以。
一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的。如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性。
1、in4148是开关二极管,主要用于钳位、检波,与电阻串联可以组成二极管门电路。
2、MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷,不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。
3、gs有电压差到一定程度的时候,mos管就会打开,这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压,这样可增加mos管的抗干扰能力。
4、本来信号撤离,需要ds关断,现在是导通,工作紊乱容易损坏mos管。g级前串进来的电阻,对驱动电阻有影响。gs之间可以等效为一个电容,即驱动给串联的RC充电,R越大,充电越慢。建议看下mos管的驱动过程,了解米勒平台等等。
5、MOS管有电容效应,栅极串电阻是调节RC常数,控制管的开通延时,电阻上并联二极管,是为了及时让栅极的电荷释放掉,是管子正常关闭,这种二极管要用快恢复二极管。
6、在开关电源中,通常的设计会在MOS管的漏极或者IGBT的C如你所说的加电阻并二极管(应该还要串一电容)至电源的正极。此电路是缓冲电路,吸收电路尖峰,避免开关过程中产生的高压尖峰击穿开关管导致损坏。
电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用,使场效应管能快速截止,减少功耗。
MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷,不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。
mos管并联一般都是在电流放大电路,当输出电流不够时,需要并联几个或几十个。
两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流,一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。
MOS管导通的时候经过单一个电阻,关断的时候经过二极管和电阻串联,快速放掉栅源结电容上的电荷,使得MOS截止过程中快速。大大提高开关效率。串联二极管的电阻,阻值应该要小。
关键词:接地电阻 并联的电阻 电阻 mos管并联 并联电阻 导通电阻 mos管 地电阻 均衡电阻 交流电阻 下拉电阻 拉电阻 直流电阻 一个电阻
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