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场效应管（JFET、MESFET、HEMT）的特征频率ft是指共源、输出端短路、电流放大系数为1（即输入电流=输出电流） 时的频率，也称为共源组态的增益-带宽乘积；它主要由栅极电容Cg来决定。
特征频率是表征晶体管在高频时放大能力的一个基本参量。
对于元器件而言，特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。
晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。
特征频率反映晶体管本身的高频性能，当使用频率达到特征频率时，其放大倍数为1，就是没有放大作用了。截止频率是晶体管的使用参考指标，当频率达到截止频率时，放大倍数下降到低频时的0.707倍，通常是放大器带宽的上限频率。
晶体管有多种类型，有场效应管和双极型晶体管及IGBT管种。其中双极型三极管，又分线性放大和脉冲开关类型。
DRAM。半导体存储器芯片是信息产业的电子器件，DRAM是此电子器件中的内存，需要定时刷新，以此方式来维护器件的正常运行不卡顿。
RAM。RAM分为SRAM和DRAM，静态RAM，储存单元是触发器，动态RAM，电容存储电荷，需要定时刷新，维持电容电荷，RAM需要定时刷新。动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。
电荷量。DRAM的存储位元是基于电容器的电荷量存储，这个电荷量会随着时间和温度而减少，因此必须定期的刷新。DRAM（动态随机存取内存），最常用的一种电脑内存。它通常使用一个晶体管和一个电容器来代表一个比特。
1、举例说明： 极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。
2、静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。动态随机存储器(DRAM)动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。
3、MOS是场控器件，意味着只要栅极电压达到阈值，其DS之间的沟道即会打开。但由于其栅源之间有等效电容，故无论是开通或关断或放大的时候，其响应均会受电容影响，有所延迟。因为电容电压不会突变，这就是存储效应。
4、选择适当的栅极串联电阻对IGBT栅极驱动相当重要。因为IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充放电来实现的，栅极电阻值对其动态特性产生极大地影响。
5、极间电容是指三极管等的基极、发射极、集电极任两者之间实际存在的等效电容，从电路上看不到这个电容，是极间实际存在的电容效应的抽象。电子管内任何两电极间的电容。
6、它是栅极结构和源极之间的电容，并且不太作为VDS的函数而变化。另一方面，CGD是极端非线性的，对于超结器件而言，在第一个100V内变化范围几乎达到三个数量级。它也有助于在VDS= 0时所看到的对于CISS的微小步长。
根据MOS管的这个特性，既可以选择将MOS管作放大器工作，也可以选择作为开关工作。根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。
所以，正确的处理方式是在关断感性负载时，如果驱动电路内阻不够小，可以在MOS的GS间并联一个适当的电容，而不是并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。
由于该故障隐蔽性较大又是时有时无，这时可适当震动放大器或轻击、拨动元器件使故障点充分暴露。
(关断最大漏源电压VDSS = 75V ，导通时漏源电阻 RDS(on) = 5mΩ ， 漏极最大电流ID = 209A)看你的图，好像是做逆变，某宝应该有拆机货。
能否替代，还可以根据实际情况分析；目前你是考虑降级替代，降级替代比较容易出现损坏，需要增加散热，减小负载功率与时间等；该替代电压接近，但是电流相差太多啦，需要选一个电流大的元件。
个1K电阻应该去掉，2个9K电阻最好也不接，这样就可以驱动了。功率可达到170W-200W。
输入接口部分：输入部分有3个信号，12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。
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