mos管qg（mos管qg值）

发布时间：2023-08-03

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Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。

不同的MOS的Qg是不一样的：MOS的G，S，D，在中间的条件下，得到右边的结果。

Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量，这个参数直接反应mos管的开关速度，越小的话MOS管的开关速度就越快.Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。3000qg即3000欧姆。

第一种：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时间。

首先，需要知道用什么来表达栅极电荷泻放的速度，首先Qg（gate charge）是一个参考，另外Trr是不是也要考虑进去。如果应用其开关特性，那么现在在设计上考虑一般都是减小Rdson和Qg。

mos管qg（mos管qg值）

1、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

2、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

3、D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

4、这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。

5、分别代表漏源电压跟栅源电压。因为在mos管中，有3个极：D代表漏极，G代表栅极，S代表源极。

Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。

MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V，其他电压，看手册）就可以了。