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按应用特性分类：可分为串联谐振型晶振和并联谐振型晶振。按负载电容特性分类：可分为低负载电容型晶振和高负载电容型晶振。
晶振一般可分为：普通晶振、温补晶振（温度补偿晶体振荡器）、恒温晶振（恒温控制晶体振荡器）、压控晶振（电压控制晶体振荡器）等几大类型！晶振由于其化学性能稳定、振荡频率的稳定，谐振频率准确，所以应用范围非常广泛。
晶振类型很多，根据不同性能可以分为有源晶振和无源晶振、有源晶振分温补晶振、压控晶体振荡器、压控温补晶体振荡器。无源晶振分两种材质石英晶振和陶瓷晶振。
比较普遍的都是用30PF，高频瓷片电容15到30均可，主要是稳定波形，耐压高于电源电压就可以。
的晶振选定后，频率就定下来了，不是和电容算出来的所以和它边上的电容没什么关系，参照书上的选就可以。
-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。
EA/VPP（31 脚） 的功能和接法51 单片机的EA/VPP（31 脚） 是内部和外部程序存储器的选择管脚。当EA 保持高电平时，单片机访问内部程序存储器；当EA 保持低电平时，则不管是否有内部程序存储器，只访问外部存储器。
这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。
电源滤波电容根据电源情况，比如47uf、100uf；复位电容10uf；复位电阻10k；晶振匹配电容根据晶振频率，一般是30p。
下面是晶振的电容选择方法，一定要仔细看哦：晶振电容选择的几大标准 （1）：在容许范围内，C1，C2值越低越好。（2）C值偏大虽有利于振荡器的安稳，但将会增加起振时间。
和晶振没有多大关系，一般10uf和10k就可以了，只要复位脚通过至少2个时间机器周期的高电平，单片机就复位。电阻电容的选取也是按照大于等于2个时间机器周期的时间常数计算出来的。
晶振一般就用普通的49s晶振，频率和程序有关我不知道。晶振旁边的电容用一般的低压瓷片电容就可以，通常是30pF左右。
无源晶振的匹配电容应依照晶振数据手册(datasheet)所载负载电容值来换算。并符合 CL = ((C1+Ci)*(C2+Co)/(C1+Ci+C2+Co)) + Cstray 是的，非门是三角形加小圆圈。但本电路架构只能使用 CMOS 非门。
这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。
两个电容的取值都是相同的，或者说相差不大，如果相差太大，容易造成谐振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振 ，详细可以到扬兴晶振官网免费咨询。
无源晶振的负载电容，其实也是匹配电容 一个12M晶振的负载电容为15PF，那么在匹配15PF的电容是，晶振输出的才是12M。如果改成9PF或者20PF，那么无源晶振输出的频率会与12M差很多。
需要连接两个22pF的电容，用于稳定晶振的震荡频率。
这个你去看手册，去电气特性里面找，比如下面这个是stm32F060C6，写着5-20。像有的103是5-25以上，电容是是有计算步骤的，虽然22pf用的可能比较多，你看看你的是什么型号然后去找对应的原理图做参考。
M匹配的负载电容可以有9PF，12PF，16PF，20PF，如果是外接电容那么至少要大一倍。
一般单片机的复位时间是若干个时钟周期（由单片机资料提供），可以根据此来选择合适的电阻和电容，RC常数应大于所规定的若干个时钟周期。为保证可靠复位，可以适当RC时间常数可以大一点。
1、电路结构与无源晶振不匹配会导致产生频率不够稳定、停止起振或振荡不稳定等问题。解决晶振不起振至少要对以下三个要素：对振荡频率（频率匹配）、振荡裕度（负阻抗）和激励功率的三项进行评估。
2、-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。
3、晶振中是不会带有复位电路的，单片机复位电路中的电容与电阻参数要根据单片机要求的复位时间来确定。但是阻容复位现在已经属于被淘汰的落后复位方式，可靠性不好。
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