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首先，KK是快速晶闸管，频率高；KP是普通晶闸管 在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内，逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内。这也是KP管与KK管的主要区别。KP型晶闸管又叫普通晶闸管，最基本的用途就是可控整流。
KK和KP的区别在于：KK是快速可控硅晶闸管，KP是普通的可控硅晶闸管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。
国产晶闸管型号标准：KP为单向晶闸管，KS为双向晶闸管。
ks为双向可控硅，kp为普通可控硅。kp可控硅不能用来代替ks可控硅，可以用两个kp可控硅反并联代替ks可控硅。kp、ks可控硅尺寸不一样，用ks代替kp有困难。
KP是普通晶闸管，常用在整流电路；KA是高频晶闸管，开关频率可达5K~10K，常用在逆变电路、斩波电路；KK是快速晶闸管，开关频率高于KP系列晶闸管，但低于KA系列，常用在逆变电路中。
KK和KP的区别在于：KK是快速可控硅晶闸管，KP是普通的可控硅晶闸管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。
KP是普通晶闸管，常用在整流电路；KA是高频晶闸管，开关频率可达5K~10K，常用在逆变电路、斩波电路；KK是快速晶闸管，开关频率高于KP系列晶闸管，但低于KA系列，常用在逆变电路中。
国产晶闸管型号标准：KP为单向晶闸管，KS为双向晶闸管。
主要由四部分组成，各部分的含义见下表：第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。第二部分用字母表示晶闸管的类别。第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。第四部分用数字表示重复峰值电压级数。
你好，是有很多作用的。您好，亲不可替代 在中频炉里，KP型可控硅用于整流电路。KK型用于逆变电路。KK是快速型，KP是普通的，不能用KP替带KK。
带裙边（台面直径较大）的为阴极，台面直径较小的为阳极。两根控制线，其中有一根与阴极面直通为阴极线，另外一根为门极线。如图所示，器件下面带裙边为阴极，上面为阳极。
1、KK晶闸管与KA晶闸管都属于快速晶闸管，区别是关断时间不同。KK型快速晶闸管 KK型快速晶闸管为常规快速晶闸管，关断时间为几十微秒，应用于400Hz的斩波或逆变电路中。
2、小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子，大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。所以，光敏晶闸管分别应用于厨房小场合。
3、全称：fast switching thyristor 一种对工作频率有明确标定的快速可控硅则称为高频可控硅(中国型号为KG)。
KP是普通晶闸管，常用在整流电路；KA是高频晶闸管，开关频率可达5K~10K，常用在逆变电路、斩波电路；KK是快速晶闸管，开关频率高于KP系列晶闸管，但低于KA系列，常用在逆变电路中。
双向可控硅除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。
ZP是二极管，不是可控硅，KP是普通可控硅，KK是快速可控硅，KS是双向可控硅。
首先，KK是快速晶闸管，频率高；KP是普通晶闸管 在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内，逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内。这也是KP管与KK管的主要区别。KP型晶闸管又叫普通晶闸管，最基本的用途就是可控整流。
1、首先，KK是快速晶闸管，频率高；KP是普通晶闸管 在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内，逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内。这也是KP管与KK管的主要区别。KP型晶闸管又叫普通晶闸管，最基本的用途就是可控整流。
2、KK晶闸管与KA晶闸管都属于快速晶闸管，区别是关断时间不同。KK型快速晶闸管 KK型快速晶闸管为常规快速晶闸管，关断时间为几十微秒，应用于400Hz的斩波或逆变电路中。
3、KK和KP的区别在于：KK是快速可控硅晶闸管，KP是普通的可控硅晶闸管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。
4、国产晶闸管型号标准：KP为单向晶闸管，KS为双向晶闸管。
1、不可替代 在中频炉里，KP型可控硅用于整流电路。
2、KK是快速可控硅晶闸管，KP是普通的可控硅晶闸管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。主要用于较高频率的整流、斩波、逆变和变频电路。
3、你好，是有很多作用的。您好，亲不可替代 在中频炉里，KP型可控硅用于整流电路。KK型用于逆变电路。KK是快速型，KP是普通的，不能用KP替带KK。
4、使用KK可控硅的场合用了KP可控硅通常不能正常工作；使用KP可控硅的场合用了KK可控硅通常不影响使用。晶闸管通常称为可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
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