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1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
2、整流二极管：整流二极管可想而知就是整流用，利用单方向导电把交流整流成直流输出。这类二极管有RU系列、V系列、1SR系列等等。
3、二极管的种类较多， 按功能可以分为整流二极管、稳压二极管、发光二股管、光敏二极管、检波二极管、变容二极管、双向触发二极管等。
4、二极管分类：点接触型二极管 点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用。
5、二极管类型如下： 检波二极管 检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型，所以其结电容较小，工作频率较高。一般都采用锗材料制成。
1、MOS管击穿之后会有什么现象：如果没有限流措施，击穿后管子将烧毁，甚至会砰一声炸裂。
2、MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。
3、mos一般主要用于电源电路，配合电感和电容，通过开关状态实现电压转换，如果mos击穿，表现为短路保护，不能上电开机。
4、是过流。原来不通的，由于耐压不够或耐热不够而导通了，是击穿，被电流穿透的意思。击穿因局部漏电致局部温升、温升加剧漏电形成雪崩而造成。击穿的结果状态一般是导通；过流的结果状态一般是断路。
5、断路：电源无输出，保险可能不断；可能烧毁IC.短路：电源无输出，保险可能烧断，或相关元件烧断，可能有糊味。
MOS管击穿之后会有什么现象：如果没有限流措施，击穿后管子将烧毁，甚至会砰一声炸裂。
mos一般主要用于电源电路，配合电感和电容，通过开关状态实现电压转换，如果mos击穿，表现为短路保护，不能上电开机。
MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。
将其换成其它型号的，结果又烧了；上管坏了，将其更换成其它型号的，也容易再次烧坏。我感觉同一相供电中的MOS管，型号应该一样，这样才能保证供电的稳定，所以我一般是将上下管同时更换，都换成型号一样的MOS管。
容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。
击穿的结果状态一般是导通；过流的结果状态一般是断路。
两种可能都存在，如果电源足够强，最后总是烧到断路为止。
通路，少数有断路的，那是因为击穿后又烧断了。正向烧毁常见断路。
在这种情况下输出端没有电流通过。 mos管的工作原理 当给定的正反馈条件满足后，若将控制电路中的控制电压加在栅源之间以形成负反馈回路，则可使晶体管导通而达到放大目的；反之亦然。
先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
主板mos管烧了不会击穿cpu：mos管短路不会烧cpu，一般电路设计时，cpu输出信号至mos管有隔离电路，或者有高阻抗电路，mos管烧了高压不会窜入cpu，所以不会烧cpu。
容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。
我发现随便更换MOS管，容易烧MOS管，比如一个上管，两个下管组成的供电电路，其中一个下管坏了，将其换成其它型号的，结果又烧了；上管坏了，将其更换成其它型号的，也容易再次烧坏。
第MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA 在可能出现过大瞬态输入电流（超过10mA）时，应串接输入保护电阻。
一般常见原因是由于供电控制芯进水或损坏，导致MOS管G极失去控制信号(MOS管不可以在没有供电芯片时直接加电，否则直接导致击穿损坏)。如果遇到MOS管损坏的故障，要综合考虑故障原因，防止更换后依旧短路，导致后级元件烧毁。
1、短路：电源无输出，保险可能烧断，或相关元件烧断，可能有糊味。
2、mos管对电压很敏感，一定不能过压；内阻过大，温度过高也能损坏。
3、如果电路中用电器不工作（常是灯不亮），且电路中无电流，则电路开路。
关键词：二极管的种类 旋转二极管 双向触发二极管 二极管分类 特基二极管 肖特基二极管 电感和电容 结电容 mos管 隔离二极管 触发二极管 检波二极管 主板mos管 稳压二极管 二极管类型 硅二极管 二极管的 开关二极管 整流二极管 二极管检波
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