二极管雪崩击穿（二极管雪崩效应）

发布时间：2023-08-03

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1、二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

2、二极管的作用如下：整流：整流二极管通常用在整流电路，能够将交流电转换为脉动直流电。开关：可调用二极管本身的开关特性，以足构成各类逻辑电路。

3、这个二极管的作用是钳位，作用是增强小信号放大，限制高电平放大，原理是当输入信号电压低于0.6-0.7V时，二极管截止。

4、二极管是最常用的电子元件之一，它最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的。

5、利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。开关二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。

6、二极管工作原理（正向导电，反向不导电）晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。

齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂志，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。

1、雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，因为这种PN结的阻挡层宽，因碰撞而电离的机会就多。

2、齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。

3、雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。

4、齐纳击穿发生在高掺杂浓度的PN结中，当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，载流子在阻挡层内与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞电离。

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