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光耦场效应管(光耦响应时间)

发布时间:2023-08-03
阅读量:28

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请高手帮忙看一下,我这个光耦驱动MOS管的电路有问题吗?如果有的话问题...

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件,光电耦合器件广泛运用在电脑终端机,可控硅系统设置,测量仪器、影印机、自动售票、家用电器,比如电风扇、加热器等。

如果本来就共地没必要隔离;如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好,通过专门的驱动IC(我忘了,好像是IRF做的)驱动变压器,时间匹配是最好的。

首先MOS管是四端器件,栅源漏衬,一般源衬短接。

光耦驱动场效应管做开关

1、这个很明了,你的这个光耦肯定也有较小的漏电流,这个小的漏电流就足以驱动MOSFET让他开通。这个时候你只要将MOSFET的门极用一个100K的电阻接地,泄放掉这些电荷,就可以防止误导通。

2、只要电压大于开启电压,就能导通,显然12v应该大于它的导通电压了。可以在R3后用一个电阻接地(分压),使光耦未导通时g栅极电压Ugs小于IRFZ24N的开启电压。。这个接地电阻即所谓的“下拉电阻”,下拉到地,确保截止。

3、串联电阻不需要计算,取一个大点的数值就可以,因为场效应管输入阻抗很高。也许3V电压太低,不能使场效应管开启。解决方案:(1)在P0到电源之间接一个5K的上拉电阻,看看行不行。

4、两个方案都是低电平接通电磁阀,高电平断开。向左转|向右转 场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。

5、,40A整流开销不小设压降为5V功耗将达5×40×2达一佰多瓦 3,若用交流可控硅功耗为5×40为60瓦左右并无需整流,若改用光耦驱动电路处理更简洁安全。以上电路若电源可高些可大大降低器件负担。

6、它是以光为媒介来传输电信号的器件,A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦, 5脚是负电压输入端,通常使用-5V电压。

光耦A3120起什么用途

它是以光为媒介来传输电信号的器件,A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦, 5脚是负电压输入端,通常使用-5V电压。

光耦A3140 和 A3120的区别主要有以下两点:光耦A3140:3A最大峰值电流输出,5A最小峰值输出。35KV绝缘耐压 。3mA供电电流 。欠压锁定(UVLO)。300ns最大开关时间 。15-30V宽压工作环境 。

a3120。pc925l它的内部不仅仅是一个光耦,还有很多其他的附加电路PC925是一种光电隔离的IGBT或MOSFET驱动器,而a3120与pc925l的功能相同可以替换。pc925l是变频器驱动电路。

光耦合器(opticalcoupler equipment,英文缩写为OCEP)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。耦合器以光为媒介传输电信号。

用数字万用表如何测光耦的好坏

如果指针摆动,说明光耦是好的,如果不摆动,则说明光耦已损坏。万用表指针摆动偏转角度越大,表明光电转换灵敏度越高。光耦 用两个万用表就可以测了。光电耦合器由发光二极管和受光三极管封装组成。

方法1:用数字万用表的PN结测量端,红表笔“电池+极”接光耦的“1”端,黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端(即使光耦的发光二极管正向导通)。

一般通用型光耦hFE值为一百至几百,若显示值为零或溢出为∞,则表明三极管短路或开路,已损坏。3. 光耦传输特性的测量:测试具体接线见下图,将数字万用表开关拨至二极管挡位,黑笔接发射极,红笔接集电极,⑥脚基极悬空。

光耦怎么测好坏:怎么检测光耦的好坏? 用两个万用表就可以测了。光电耦合器由发光二极管和受光三极管封装组成。

用一块万用表R100档测光耦的4,5脚光敏三极管正反向电阻应为无穷大,如果不是光耦就是损坏或性能不好。

电源是直流12V供电槽型光耦需要多大的电阻?

1、v直流电源,用1个led和1个电阻串联,可选450欧,0.25w电阻。如果是多个led,可以将led分组并串联,计算方法同上。

2、V电源: (12-2)V/10mA=1k,选1K电阻。 0.25W即可。

3、功率=10V*5MA=50毫瓦=0.05W,只要大于0.05W的都行。直插的1/8W或者贴片0805封装的都行的。

4、需要确定led灯的电压和电流。例如:电流是20ma,电压是3v,(12v-3v)/0.02A=450欧的电阻,那么电阻一般取值470欧的就可以了。

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