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光电晶体管的工作原理是:光电晶体一般在基极开放状态使用,而将电压施加至射极、集极之两个端子,以便将逆偏压施至集极接合部。
光电管原理是光电效应。一种是半导体材料类型的光电管,它的工作原理光电二极管又叫光敏二极管,是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。
CCD的优点是将光电转换及信号的存取集中在一个支撑件上,体积小巧,工作可靠,且具有大动态范围、高灵敏度、低噪声。带像增强器的CCD(ICCD)器件及背照式CCD(EBCCD)等,更是实现了以小型化装置对微弱光成像的功能。
1、光电式传感器photoelectrictransducer,基于光电效应的传感器,在受到可见光照射后即产生光电效应,将光信号转换成电信号输出。
2、外光电效应(external photoelectric effect):外光电效应是最常见的一种光电效应,当光子的能量大于物质表面的逸出功时,光子就可以引起金属表面电子的逸出。这样的现象经常应用在各种电子器件中,如光电导、光电池等。
3、外光电效应 在光线作用下使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电元件有光电管,光电倍增管等。光电岛效应 有光电管,光电倍增管等。
4、实际有效电子亲和势xeff=x-墹E。如果墹Ex,则xeff就成为负值。负电子亲和势(NEA)材料(如GaAs、InGaAsP与Cs2O的接触)的光电子发射的量子产额相当可观,是发展半导体光阴极的重要基础。
5、理解光电效应需注意的几个地方 体现的是粒子性。光电效应的发生条件是光子频率必须大于等于截止频率,即光子能量要够大。光电效应发生时间极短,没有滞后。一个光子对应一个电子,激发出来的叫光电子。
6、光电效应只能分为两类,光电效应分为:外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
1、通过实验了解这些特性及其对信息传输的影响,有助于在科研与工程中恰当地使用这一信号传输技术。实验目的 熟悉半导体电光/光电器件的基本性能及主要特性的测试方法。了解音频信号光纤传输的结构及选配各主要部件的原则。
2、电子元器件分类大概有以下几大类。电阻器。电容器。电感器。变压器。半导体。晶闸管与场效应管。这个北京南电做的比较多,还有集成电路 电子管与摄像管。压电器件与霍尔器件。
3、狭义的半导体光电器件主要针对无机半导体;广义的半导体光电器件包括OPV,例如常用的P3HT通常可称之为有机半导体材料。
4、半导体PN结在受到光照射时能产生电动势的效应,叫光伏打效应。硅光电池就是利用光伏打效应将光能直接换成电能的半导体器件。图表3-31是硅光电池的结构和电路符号图。从图中可见硅光电池就是一个大面积PN结。
5、以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。 半导体材料 主要种类 半导体材料可按化学组成来分,再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。
6、区别:形成原因不同:在半导体中掺入施主杂质,就得到N型半导体;施主杂质:周期表第V族中的某种元素,例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质,就得到P型半导体;受主杂质:周期表中第Ⅲ族中的一种元素,例如硼或铟。
1、光电成像器件及宽束电子光学:主要从事各种光电成像器件的原理与技术、设计、检测及应用技术,宽束电子光学系统及设计等方面的研究工作。
2、光学工程专业。根据光学产业不同研究方向的就业方向各有不同,一般在大公司从事光学产业,需要光学工程专业的员工,如光电成像器件以及宽束电子光学:主要从事各种光电成像器件的原理与技术、设计、检测以及应用技术。
3、从纵向来看,以上几大类型的专业的就业面,相对来讲都差不多,就业前景以及就业面都比较好。光学工程就业方向:光电成像器件以及宽束电子光学:主要从事各种光电成像器件的原理与技术、设计、检测以及应用技术。
光电开关将输入的电流在发射器上转换为光信号并射出,然后接收器根据接收到的光线强弱或有无,对目标物体进行检测。大多数光电开关都是采用波长接近可见光的红外线光波。
内光电效应探测器包括光电导探测器、光伏探测器。光电导探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。光伏探测器是用半导体PN结光伏效应制成的器件称为光伏器件,也称结型光电器件。
机器视觉检测技术中光源有以下几种:荧光灯,卤素灯+光纤导管,LED光源,激光,紫外光等。几种光源的特点如下:光照方式有以下几种:背景光法(背光照射)是将被测物置于相机和光源之间。
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