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2、反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
3、常见的参数有： 集电极电流Ic（Collector Current）光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。
一般电流控制在5~20mA，最大50mA。用5V电源驱动，可以串联电阻R=5/0.01=500R，所以你可以选择电阻200R~1K，建议取值330~510R。
一般电流控制在5~20mA，最大50mA。用5V电源驱动，可以串联电阻R=5/0.01=500R，所以你可以选择电阻200R~1K，建议取值330~510R.在驱动电压恒定的情况下，串联电阻越大，电流越小。
K电阻。驱动光耦的器件有最小工作电流值，驱动光耦，有一定的漏电流，所以要并联1k电阻吸收这些漏电流防止光耦导通。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。对24V输入来讲，光耦压降3V，剩余电压27V，对8k电阻，光耦原边电流约3mA，满足其要求。至于22k电阻，要看具体应用。
极限电流可以达到50mA，但一般用到20mA就足够了。要同时满足5V、24V，要看你的输出负载情况。
步进电机驱动器的信号输入端都采用光耦隔离， 光耦的驱动发光二极管的驱动电流一般为10ma，最大的为15ma。当驱动信号的幅度为24V限流电阻为2K时， 其驱动电流=24÷2000=12ma。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
常见的光耦型号包括二极管型、晶体管型和集成电路型等。在选择光耦型号和参数时，需要根据应用需求、电路设计、成本预算等因素进行综合考虑。
脚光耦的型号与参数大全有两个：亿光ELQ3H7为4通道光耦，16脚，台湾亿光品牌，相当于4个EL3H7，节约空间体积。可替代TLP291-4，PS2801-4等光耦。亿光ELQ3H4为4通道光耦，16脚，小脚距，交流输入四路。
隔离阻抗R&是指发光二级管与光敏管之间的绝缘电阻，一般在10的9次方至11次方欧之间。极见耐压U&是指发光二级管与光敏管之间的绝缘电压，一般都在500伏以上。
入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。1入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。1入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
检测光耦的好坏：可以在板带电的情况下，测输入驱动波形和输出驱动波形：如果仅有输入没有输出，那光耦肯定有问题；如果输入和输出波形都有，那就说明光耦没问题。这时可以查电源和驱动信号是否正常等等。
判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。更可靠的检测方法是以下三种。
判断发光二极管好坏与极性：用万用表R×1k挡测量二极管的正、负向电阻，正向电阻一般为几千欧到几十千欧，反向电阻一般应为∞。测得电阻小的那次，红笔接的是二极管的负极。
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