mos管导通电压（MOS管导通电压多大）

发布时间：2023-08-04

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1、解析：你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。

2、MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。

3、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

4、mosfet实际常用的正驱动电压是Vgs一般为12~15V，低于20V，负栅压不超过5V。因为正驱动电压不能太大，具体还要根据实际情况来，如果是Si mosfet建议15V以上，Sic mosfet驱动电压一般要高于Si的。

但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。

Ugs(th)就相当于刚刚有水，但增加到一定程度，水流的粗细就不再变了），一般来说，MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压。

指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

MOS管是电压控制型，双极型晶体管是电流控制型从电路上分析，理论上Vgs=R2两端电压降Ur2=2*24/12=18V 这个电压与MOS管导通与否没有关系。

此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

mos管导通电压（MOS管导通电压多大）

高1V也是高，高2V高也是高，但是高1V或者2V都不能使MOS管导通，必须要高于MOS管的开启电压，MOS管才能导通，MOS管的开启电压一般都是4-5V左右，你可以查一下这个MOS管的Datasheet。

Ugs(th)就相当于刚刚有水，但增加到一定程度，水流的粗细就不再变了），一般来说，MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压。

理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。这就限制了电压不能无限制抬高。这是相互矛盾的情况，根据经验，一般会留出2~5倍的电压余量。

NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d一般RDS非常小，在导通时D与S电压几乎一样，G端电压比D端高出一个启动电压，实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。

一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。

当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。

一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。

MOS管导通时栅极电压是5伏左右。20伏是极限电压。

关键词：mos管