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一般是起保护作用,并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。
这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的,其电阻极高,容易感应静电,导致击穿烧毁,为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去,当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷,从而起到保护MOS管的作用。
MOS管有电容效应,栅极串电阻是调节RC常数,控制管的开通延时,电阻上并联二极管,是为了及时让栅极的电荷释放掉,是管子正常关闭,这种二极管要用快恢复二极管。
电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用,使场效应管能快速截止,减少功耗。
这个叫寄生二极管,当电路中产生很大的瞬间反向电流时,就可以通过这个二极管导出,保护了MOS管的D极和S极。如果没有这个二极管,就有可能击穿这个MOS管了。
不是所有的MOS管都有寄生二极管,只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管,必须用二极管档测量,才能在一个方向测到电阻(电压),反方向不通。
在常用的MOS管的Datasheet中原理图上,常见D和S极之间有一个二极管,该二极管称为寄生二极管。该二极管的产生与生产工艺有关,并不是所有的MOS内部都有该二极管。
mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
这个二极管不是所有的MOS管都有,有没有与生产工艺有关。一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等,就有这个二极管。它不是特意做出来的,是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。
1、按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
2、整流二极管:整流二极管可想而知就是整流用,利用单方向导电把交流整流成直流输出。这类二极管有RU系列、V系列、1SR系列等等。
3、二极管的种类较多, 按功能可以分为整流二极管、稳压二极管、发光二股管、光敏二极管、检波二极管、变容二极管、双向触发二极管等。
模拟电路书里讲的就是小功率MOS管的结构,所以没有这个二极管。
mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)场效应管,一般称为绝缘栅极场效应管。
名曰寄生二极管,由于器件生产时,将S源极接到衬底形成的。区别是型号不一样,参数一般也不一样。
用单片机的输出口连接MOS管的控制极,MOS管与发光二极管串联后接到电源。用程序使单片机输出口的相应位置0或置1,即可控制发光二极管的亮灭。
MOS导通以后,当输出电压达到一定值后,或者DS电流达到一定值以后,会使G11导通,从而使G12截止。此时线圈78电势也将反向,加速G12截止,并维持一定截止时间。G12的电荷可通过C3和G11泄放。
K1是电感负载,断电的瞬间会产生反向高压,如果没有这个续流二极管就可能把mos管很薄的绝缘层击穿造成永久性损坏。
必须正确连接S和D的方向,用来控制充电回路的mos管,应该使寄生体二极管与充电电流方向相反,如果接反的话,本来需要关闭这个mos管,但是由于体二极管的存在,导致充电电流无法截止。
采用mos管并联电容两端给电容放电的方法不可取,原如是MOS的导通电阻非常小,一般只有几十毫欧至零点几欧姆,这种方法相当于短路放电,极容易烧毁MOS管,尤其是对大容量电容放电,太伤MOS了。
关键词:mos带二极管 寄生二极管 发光二极管 有电容 快恢复二极管 硅二极管 恢复二极管 肖特基二极管 整流二极管 开关二极管 隔离二极管 并联二极管 二极管反向 检波二极管 稳压二极管 特基二极管 电阻 mos管 电容 雪崩二极管
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