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1、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
2、可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。
3、⑴ 主电路阀侧额定工作线电压：≤1000V(50HZ)。⑵ 控制板工作电源：单相220V±10%；电流A≤0.15A。⑶ 控制板同步信号：三相同步，AC380V，50HZ，电流A≤10mA； 其他需定制。
4、可控硅元件的主要参数及意义如下：(1)正向阻断峰值电压(UDRM)。它等于正向转折电压减去100V。(2)反向阻断峰值电压(URRM)。它等于反向转折电压减去100V。(3)额定正向平均电流(IT)。
5、另严选可控硅各项参数指标符合感性负载的各项要求。同时可在输出端增加过压保护、阻容吸收、过流保护等。另考虑到功率因素，宜选用随机型光耦。
可控硅元件的主要参数及意义如下：(1)正向阻断峰值电压(UDRM)。它等于正向转折电压减去100V。(2)反向阻断峰值电压(URRM)。它等于反向转折电压减去100V。(3)额定正向平均电流(IT)。
弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
- JST12X1000CW：额定电压为1000V，额定电流为12A，触发电压范围为0.8V到0V。- BCR8PM14L：额定电压为600V，额定电流为8A，最大耗散功率为5W。这些参数的不同可能会影响可控硅在不同应用中的性能表现。
BT1313及138参数一样：如图所示：600V反向重复峰值电压VRRM：600V通态平均电流IT：4A通态不重复浪涌电流ITSM：40A最高结温Tjm：110 ℃贮存温度。
CT102D可控硅的主要参数包括额定电压、额定电流、最大正向火力放电能量、最大反向火力放电能量、封装形式等。
1、BT136和BT137都是双向可控硅，平均有效电流分别是4A个8A，触发电流5-50MA，一般按15MA设计。电压600V，非绝缘型。
2、BT136是双向可控硅\x0d\x0a主要用途：家用电器控制电路、变频电路、调光、调温、调速电路。\x0d\x0a主要特点：击穿电压高、输出电流大。
3、BT136是双向可控硅 主要用途：家用电器控制电路、变频电路、调光、调温、调速电路。主要特点：击穿电压高、输出电流大。
按照产品提供的说明使用是安全的，危害可控硅安全的，首先是电击穿，反向峰值电压，通常220V，380V是有效值，其峰值要乘414倍，考虑电压波动（+-10%~15%），谐波系数（5%），380V会达到650V的反峰电压。
这个问法有疑问的。可控硅有最大电压，最大通态电流，两者的乘积就是可以做成的最大开关容量。不最大你问的是不是这个意思。
A的可控硅最大负载功率与使用电源电压有关，可控硅只要通过电流不大于50A就可以正常使用。如果电源电压是1KW的话，那通过它的功率最大就是50KW。
BTB04属于双向可控硅，额定正向平均电流为4A，这样在市电220V电压下，允许控制电器的最大功率为1KW，实际应用中，最好不要超出800W。
1、可以用MAC97A6（1A、600v）管子代替。
2、参数：可控硅-晶闸管，价格：0.30，功率特性：小功率。关断速度：高频(快速)。极数：三极。散热功能：不带散热片。频率特性：高频。型号/规格：BCR1AM12A。封装外形：TO-92。反向重复峰值电压：600（V）。
1、可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。
2、通态平均电压UT(AV)在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。
3、弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
4、可控硅是可控硅整流元件的简称(亦称晶闸管)，是一种具有三个PN结的四层结构的半导体器件，属于半控的电流控制器件。和其它半导体器件一样，它具有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
5、定义不同：MAC97A6 =400V/0.8A双向可控硅 MAC97A8 =600V/0.8A双向可控硅 耐压不同：都是 双向四象限可控硅。其次触发电流都是5，5，5，7mA.封装TO-92。耐压MAC97A6耐压400V，MAC97A8耐压600V。
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