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理论上是可以的，把直流低压电升高、变流成高压交流电，称作“逆变”，但没人这样做。实际这种技术很成熟，例如为电脑设计的不间断电源，海洋石油平台的大容量备用电站都是把电池的电压升高变为交流电源使用。
小功率管焦耳小偷电路123脚分别对应是EBC，中功率常见的是ECB，大功率管常见的是BCE，一定要查清楚参数。
理论是可以的用变压器实现交流电的升压。（1）简单的说：容量Q与电压U和电流I之间的关系为Q=UI 而变压器的重要参数之一是容量Q——KVA （2）任何变压器均有功率损耗，该变压器也有损耗的。
1、按照这个电路设计高端是不会产生负压的，要产生负压，必须在高端输出为截止时，VCC给电容C3有效充电。
2、IR2110高端的驱动供电是靠两个MOS管公共点的脉冲取得的，必须要主电路供电后，HO才能输出主电源+VS的幅度（对电源负端测量）驱动信号。
3、这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。
1、绕组要有中心抽头。其铁芯截面积按：面积（平方厘米）=3*根号下之功率。其线径按允许电流计算就行了。
2、半桥电路是两个三极管或MOS管组成的振荡，全桥电路是四个三极管或MOS管组成的振荡。全桥电路不容易产生泻流，而半桥电路在振荡转换之间容易泻有电流使波形变坏，产生干扰。
3、所以要在MOS管栅极并联稳压管以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护MOS管栅极不被击穿。MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷，不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。
4、为什么一定要半桥？推挽不行吗？半桥也行，加个半桥驱动芯片2110就行。
5、我想你可能是看错资料了。你可以想想啊，你芯片如果是5V供电，那你芯片驱动管子的话，最高的驱动电压也就是5V呗？这样显然不能可靠的打开功率管。
直接接上电压，BON1加上一个信号就可以了。
两只mosfet尽量选取特性一致的，且单只耐压大于总VDS的一半，悬浮高压略低于VDS的一半。这种电路的优点是驱动电路简单，占空比可以从0~100%。用隔离变压器驱动的电路我见过实物有6只mosfet串起来工作的。
首先，隔离变压器外箱必须要接地，一般指隔离变压器就是电压1：1的变压器，变压器二侧电压相同，变压器不起变压作用，隔离变压器也具备有升压或者降压功能！在电路中起到只有磁的联没有电的直接联系，起到隔离作用。
为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。
“给单片机供电”的应该也是电压取样点。如果电压高了，单片机就通过“隔离变压器”关闭MOS管。“隔离变压器”应该是MOS管的驱动变压器。3个100欧姆电阻主要是考虑功率较大，一个300欧姆贴片电阻功率不够。
1、MOS管是金属－氧化物－半导体结构的场效应三级管，而普通三极管则是P-N-P或 N-P-N结构（双极工艺）的三极管，IC(集成电路)是采用MOS或双极工艺或复合工艺在半导体基片上制作若干个元器件并连接成电路的器件。
2、TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。
3、mos管驱动要用图腾柱，是因为MOS管的栅极输入电阻极大，使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电。
4、MOS管一样有这三种作业状况，只不过是靠改动栅极电压来结束。所以两种器材都能够用于仿照电路和数字电路。两种器材各有其优缺陷，在仿照电路和数字电路都有运用。
5、个三极管串起来叫推挽工作。一个导通时另一个截止。另一个导通时这个截止。2对并接，如果输出端也并只是增加输出电流，如果不并，通常用作逆变电路或改变直流电机方向。
6、开关管是MOS管和三极管的一种用途，即用于控制电路导通和关断。区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。
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