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我的附图中的MOS管是复合管,LNQ_CTL是单片机可以直接控制的;其他的就不用我说了吧;但是你要是用普通的mos管,则需要添加辅助驱动电路了,但是基本的原理是一样。
IRF540N阈值电压 Vgs th 典型值:4V,保证其工作在开关状态,要求VGS至少大于5以上(跟所需求的负载电流有关)。5v单片机的输出口接口高电平,当负载电流小于10uA时输出电压为5V,当负载电流300uA时输出电压为75V。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。
1、用Buck芯片产生出负压。用AOS通用的一款Non-synchronous Buck AOZ1284PI实现正输入负输出的电压变换,此芯片为高压BUCK芯片,最高输入电压达到36V,带载能力达到4A,用Buck芯片产生出负压。
2、正负电压,其单位都是伏特(v),之所以表明正负,是相对于零电压来区分的。也就是高于零电压的为正电压。低于零电压的用负电压来表示。在电路中,产生负电压,很简单,从整流二极管的正端输出,即为负电压。
3、电容C2上就会出现一个负电压,理论上比电源电压低0.7V,然后再稳压到-5V。负压电源转换器产生负压 MAX749是一个专门用来产生负电压的电源转换器。
4、这个应该是则是一种波形的一个电压,就是则是一种指数,通过这个电压之后就可以直接提供它里面这个电量了。
5、这个问题其实应该这样增强型MOS管也完全可以这样的!问题的实质是:增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负,只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的:截止。
1、选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。
2、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外,还应选择合适的电压和电流容量,以适应实际应用的需求。
3、首先,确定降压电路的最大输入电压,MOS管的耐压,需大于等于3倍以上输入电压,确保MOS管不会被击穿。然后,再确定输出电流大小,根据电流大小,尽可能选择低内阻MOS管,这意味着其允许输出电流越大,发热越小。
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