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光电器件有哪些特性参数（光电器件的主要性能及其定义）

发布时间：2023-05-19
阅读量：64

本文目录一览：

光电管的参数及特性

1、光照射在光电管的光阴极上能够激发出能量不同的电子。阳极电压低时，只有能量高的电子能够到达阳极，升高阳极电压使低能量的电子也能到达阳极。所以曲线低端，阳极电压越高，光电管的输出电流越大。

2、Vce=10V H=100lx时，光电流典型值IL=5mA Vce =10V时，暗电流最大值ID=100nA 这是我公司光二极管的特性参数，你可以参考。

3、相同： 都属于光电探测器；都具有光电探测器下性能参数的一致性，如等效噪声功率、响应率、探测率等 光电管（phototube）基于外光电效应的基本光电转换器件。光电管可使光信号转换成电信号。

光敏三极管的主要技术特性及参数有哪些?

温度特性 温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。

光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。 光电三极管的时间响应常和PN结的结构及偏置电路等参数有关。

为适应光电转换的要求，它的基区面积做得较大，发射区面积做得较小，入射光主要被基区吸收。和光敏二极管一样，管子的芯片被装在带有玻璃透镜金属管壳内，当光照射时，光线通过透镜集中照射在芯片上。

管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。

光电倍增管的性能及参数有哪些?

1、光电倍增管的放大倍数及阳极灵敏度 由于次阴极的电子倍增作用，从光阴极每发射一个电子，倍增后在阳极得到M个电子。M就叫光电倍增管的放大倍数，一般在105～108范围。

2、光电倍增管采用了二次发射倍增系统，所以在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中，具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外，光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。

3、光电倍增管灵敏度极高，信噪比也很好，对于紫外可见区的弱光信号检测很有优势，缺点是线性稍差；硅光电二极管灵敏度低，信噪比差些，主要用于可见和近红外区强光信号检测，优点是线性度比光电倍增管好。

4、光电倍增管是一种用于放大微小光信号的电子器件，常应用于粒子探测、荧光测量、分光光度计等领域中。其光谱灵敏度和积分灵敏度是评估其性能指标的两个重要参数。 光谱灵敏度：指该光电倍增管对各种波长光的响应程度。

5、对倍增极材料的要求：足够大的二次发射倍数，热电子发射小，工作稳定性好。对高温光电倍增管还要求其倍增极高温性能好。表4-3-2列出各种倍增极的特性。（5）阳极是最后收集电子，并给出输出信号的电极。

为什么要测电光,光电器件的v-i特性

它的内部结构与普通PN结管不同，它属于PIN结型，就是在P与N中间增加了基区I，构成PIN结，因为基区很薄，反向恢复电荷很小，所以PIN二极管的反向恢复时间短，正向压降低，反向击穿电压高。

因为光垫起脚的特性取向很重要，在工作中在使用中都非常需要这个曲线，所以说必须撤这个曲线。

很多器件的VI特性都很重要，只有充分了解器件的特性，才能更好的使用器件。

光电二极管的性能参数

1、光电二极管的一些关键性能参数包括以下几项。响应率一个硅光电二极管的响应特性与突发光照波长的关系响应率（responsivity）定义为光电导模式下产生的光电流与突发光照的比例，单位为安培/瓦特（A/W）。

2、H=100lx时，光电流典型值IL=5mA Vce =10V时，暗电流最大值ID=100nA 这是我公司光二极管的特性参数，你可以参考。

3、大功率LED和小功率LE多的参数不太一样，我是做大功率的，主要参数是色温，流明，显色指数，电压，电流，光强度，功率，反向电流，这些都是大功率的参数，想再了解详细的可以另外再问。

4、光电二极管的一些关键性能参数包括以下几项。响应率 一个硅光电二极管的响应特性与突发光照波长的关系响应率(responsivity)定义为光电导模式下产生的光电流与突发光照的比例，单位为安培/瓦特(A/W)。

5、光电 二极管器件 本征半导体、P型和N型半导体都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。

6、一般光电阴极材料不同的光电管有不同的红限频率，因此它们可用于不同的光谱范围。另外，同一光电管对于不同频率的光的灵敏度不同。

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