mos管漏极（mos管漏极接地还是源极接地）

发布时间：2023-08-04

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MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。

MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

漏极在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。

关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。

1、当VDS 增加到使VGD=VGS(th)时，相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。当VDS增加到 VGDVGS(th)时，预夹断区域加长，伸向S极。

2、而在S端比较宽的情况，如果UDS继续增大，电场越强，吸引电子能力越强，反型层靠近D端的自由电子最终被全部吸引到D区，这样在靠近D端的地方就出现了载流子浓度极低的情况，也就是夹断区出现了。

3、大侠，图呢？好吧，没有图也没问题，所以的mosfet的图都差不多。关于夹断。是因为Vdrain的电压增加，导致电子通道关闭（就是三角形的尖端）。你的理解也可以。如图：没错。Cox，就是以二氧化硅为介质的电容。

4、MOS管的夹断区和饱和区的区别是：Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关系不同：夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。

mos管漏极（mos管漏极接地还是源极接地）

必定相等。MOS管不是电流放大器件，谈不上放大电流，所以在它的手册中也找不到电流放大参量（只有“互导“参量）。它是用电压控制电流，只要输入一定电压，不需要控制电流，就像交通灯可以控制汽车的流量，自己却不需要流动。

G极是栅极，S是源极，D是漏极导通时是Vs=Vd，而不是，Vg=Vs。是可以继续导通的。

而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。

电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

1、有关系。MOS场效应管的漏电流是指在零偏压下，漏极与源极之间的电流。漏电流可以通过改变MOS管的结构参数来控制，其中接触电极面积是一个重要的因素。

2、以N沟道MOSFET为例，正常工作的时候漏极电位最高，N型漏极区与P型衬底处于反向截止状态，可能会存在微小的反向漂移电流，但这几乎是可以忽略不计的。

3、晶体管的沟道夹断以后，漏极电流即达到饱和。

4、MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

5、MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。因此即使是处于饱和区的mosfet也会由于这些因素，漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。