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可控硅过压保护（可控硅过压击穿的原因）

发布时间：2023-08-04
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70tps16可控硅触发电压过高会击穿吗

——★再说电路本身：①、仅就充电回路来看，电容耐压3V是不合理的，电容有可能被击穿；②、即使充电完成，1000μ电容放电，过大的电流会损坏双向可控硅的。

电压击穿 可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

晶闸管一旦触发导通，门极完全失去控制作用。要关断晶闸管，必须使阳极电流《维持电流，对于电阻负载，只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断，通常在管子阳极电压互降为零后，加上一定时间的反向电压。

洗衣机电路可控硅击穿的原因有两种。电子元件可控硅原件老化而损坏。负荷较大可控硅发热严重，电路板因防水散热不太好而击穿。

此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。

可控硅过压不击穿的原因

1、造成过压的原因很多，常见的有以下几种情况：1）变压器的接通或断开；2）感性负载的接通或断开；3）可控硅断开（或接触问题）；4）熔断器熔丝或保险的烧断；5）外界闪电或雷击。

2、可控硅负载脉冲变压器，通过阻容吸收保护可控硅不被瞬间电压击穿。

3、原因分析：可控硅门极断开或短路；触发电路输出功率小；主回路没有接负载；脉冲变压器二次侧极性接错，或者门极与阴极之间并接的二级管被击穿短路。

4、控硅对过压的承受能力低，门极断开时，晶闸管的正向漏电流比一般硅二极管反向漏电流大，且随着管子正向阳极电压升高而增大。当阳极电压升到足够大时，会使晶闸管导通，称为正向转折或“硬开通”。多次硬开通会损坏管子。

可控硅的保护电路

主电路保护常见得有：电流保护和电压保护以及电压上升率保护。控制电路的电子保护一般在检测到异常时进行过流过压过载等保护。主电路的过流保护一般采用串联快速熔断器，过压保护采用并联压敏电阻。

可以，可在你控制电路前加一个接触器，即继电器。装一个三极管控制电路，从电源引电阻过来，再装一个轻触开关，按下开关三极管导通，接触器即闭合，可控硅得电工作，但松开轻触开关，接触器即断开。

可控硅对电压非常敏感，稍一过压就可能烧毁，所以需要加过电压保护。

但由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以只能用作晶闸管的过载保护。过载截止保护 利用过电流的信号将晶闸管的触发信号后移，或使晶闸管得导通角减小，或干脆停止触发保护晶闸管。

双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。

在可控硅的控制电路中，常常在可控硅的两端并联RC串接的保护电路，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。

为什么可控硅整流电路中要采取过电压保护?

可控硅对电压非常敏感，稍一过压就可能烧毁，所以需要加过电压保护。

都有可能导致元件损坏或性能下降，所以要采取过电压保护措施。

因为可控硅是晶体管，耐压低，耐压高的贵不经济，所以一般用阻容保护。

换向过电压 晶闸管过电压能力极差，当出现因雷击或突然跳闸，断路等影响的电压时，会导致管子损坏，因此要采取过压保护：可以在晶闸管整流电路的交流输入端或直流输出端及晶闸管两端并联阻容保护或压敏电阻等保护装置。

所以可控硅整流励磁的发电机动作电压是取3倍额定电压，动作时限取0.3s。大型水轮发电机都是采用可控硅整流快速励磁系统，过电压保护，整定值不能超过3倍0.3秒，有利于跳闸停机灭磁。

关键词：电子元件可控硅 电容 电路可控硅 继电器 可控硅的 三极管控制 二极管反向 电阻 双向可控硅 硅二极管 可控硅 开关三极管

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