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hspice仿真mos管很慢（mos管仿真软件）

发布时间：2023-08-04
阅读量：22

本文目录一览：

hspice仿真时,网表文件里mos管的宽和长怎么选取?

你好，在仿真的时候保留log文件就可以了，仿真前首先确认的就是模型参数。

方法一。从model文件中可以找到 方法二。做一次单管的DC分析，通过波形文件measure到需要的参数特性 方法三。

宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。

串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。

mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

multisim设置mos管参数设置

如果一定要设置的话，在SPICE参数中BF基本就是电流放大倍数。双击元件打开特性窗口，打击edit model，修改。

双击三极管，弹出对话框，在“参数”一栏中点击“编辑模型”，能看到参数，Bf表示正向放大倍数 如下图：最后还讲一下其他参数的意思：Is=xxf 反向饱和电流。

首先在Simulink中新建“New Model”，搭建无源单相全桥逆变电路，如下图所示。对单相全桥逆变的触发脉冲电路，如下图所示。其中，载波模块和调制波模块的参数设置分别如下：（调制波频率为50Hz，载波频率为5kHz）。

multisim元器件的查找放置 电阻 basic-resistor 选择1K 2个。LED ： diode-led 选择红色 1个。PNP： Trans-BJT_PNP 随便选择一个 这里选择一个2N2904。开关：basic-switch-spdt 选择一个。

MOSFET的开关控制电压是v(gs)。因此，V1应该加在Q1的g和s之间，而非g和地之间；Q2的d和g位置反了，V3不能加到Q2的g和s之间，故不能控制Q2的通、断；而且Q2内部的寄生二极管会将Q1导通的电源电压短路到地。

用proteus仿真mos管

1、那个按钮在断开时，并不是绝对的断开的，是有导通电阻的，是100M，见下图画红圈项，这个阻值足以让MOS管导通的。这是仿真软件的问题，当然了，这个阻值是可以改的。

2、可能是你的线路不太对，或者是线路太复杂了；可能是软件本身的BUG。

3、打开“proteus”。点击做的的“P”符号或者按下键盘的“P”，可以跳出元器件界面。在右侧选择“Optoelectronics”。下拉列表，可以看到很多数码管，以基础的“7SEG”为例子，找到“7SEG-BSD”。

4、没有问题的，二极管会亮的。那2N7002有两个，换一个试试，去掉那个J1试试，把R2改小点。参考下图，这可是亮的。

5、是不成立，你得先让MOS管关断才谈得上开通，在GS并联一只100K电阻，把按钮挪到电源和G极之间再试试。

怎么用Hspice仿真mos管等效输出电阻

1、你好，你问的应该是运放的输出阻抗吧？这个很简单，使用dc仿真，打印出所有节点就好了，对应的语句你可以在help文件中查找。

2、第一，看下仿真出来的*.sw文件大小是否为零。第二，确认下你的sp没有放在包涵中文的目录下面。第三，把probe语句改成：.probe v(*) i(*)第四，如果还不对，看下log文件中的warning报了什么。

3、设置电阻值，按照固定电流的方法测量电流变化量就可以了。

4、试试把子电路中mos管的模型名nch.1和“pch.1改为”nch“和”pch“。模型库中MOS模型名后面的数字.1是为了根据不同的W，L值给模型分段，在使用mos管时是不会加数字的。

5、你好，在仿真的时候保留log文件就可以了，仿真前首先确认的就是模型参数。

求助啊各位大佬关于HSPICE元件库的使用

1、模型库中MOS模型名后面的数字.1是为了根据不同的W，L值给模型分段，在使用mos管时是不会加数字的。

2、可以在仿真中添加.option converge 语句来自动收敛。 不收敛的主要原因还是你的电路初始状态点有问题，建议你上电时间改长一点。

3、如果是“job aborted”，说明程序有错，没有执行完；另外看是不是要在avanwaves里直接open 这个sp文件，有的版本可能需要你手动载入这个项目来看波形。

4、是不是按waveview没用啊？实际上，你可以在开始-所有程序中找到你Hspice的文件夹，打开其中的Avanwaves C-20009软件。

5、可以，使用语句为probe 例如：.probe i (x0name)即可 这真的很难一下子说明白最好上硬之城看看吧。

6、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

请问大神,Hspice里mos管的饱和电压vdsat为什么不等于过驱动电压vod=vgs...

1、过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。

2、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

3、当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。

4、一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。

5、有些开启电压较高的MOS管，还会提高驱动电压，而不使用单片机的5V供电，比如12V、15V等等。

关键词：hspice仿真mos管很慢 仿真mos管 寄生二极管 导通电阻 mos管 电阻

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