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mos管电路特性(mos管驱动电路设计)

发布时间:2023-05-19
阅读量:187

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MOS晶体管的作用?

1、MOS场效肆岁芹应晶体管通常简称为场效应管,是雀亏一种应用场效应原理工作的半导体器件,

2、和普通双极型晶体管相比拟,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等裂毕特性

mos管的作用

mos管的握歼盯作用:可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。

MOS管为压控元件,只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小,常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。

MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

MOS管的特性

开关特性。MOS管是压控器件,作为开关时,NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通,PMOS只要满足Vgs。

开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗,导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的,导通电阻都很小。段和开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中,MOS处于恒流改汪区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法,一是缩短开关时间,二是降低开关频率。

由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制,NMOS的使用场景要远比PMOS广泛,因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。

在宽电压的应用场景中,栅极的控制电压很多时候是不确定的,为了保证MOS管的安全工作,很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。

MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件

MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种,凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子,均属于增强型管;凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子,均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管,其工作原理:当栅极-源极电压变化时,将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。

电流流向:由漏极d流向源极s。

沟道开启条件:N沟道增强型场效应管:当VGS>VT(开启电压)时,衬底中的电子进一步被吸至栅敏茄孙极下方的P型衬底表层,使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量,该薄层转换为N型半导体,称此为反型层。形成N源区到N漏区纳谈的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时,若在漏源间加电压 VDS,就能产生桥链漏极电流 I D,即管子开启。 VGS值越大,沟道内自由电子越多,沟道电阻越小,在同样 VDS 电压作用下, I D 越大。这样,就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域:可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零,当VGS小于VT时,管子才导通,漏极-源极之间应加负电源电压。

关键词:电阻 导通电阻 可变电阻 耦合电容 电容 电容器 mos管驱动 电解电容 mos管

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