mos管电流（mos管电流计算公式）

发布时间：2023-08-05

阅读量：26

本文目录一览：

1、电流瞬间mos管会击穿。根据查询相关信息显示，电流瞬间超过了MOS管的承受范围，就会导致MOS管击穿。另外，MOS管的击穿还与电流的上升斜率和上升时间等因素有关。

2、在负载短路的情况下，电路中的电流会急剧增大，这会导致器件（例如MOS管）承受的电流过大，超过其额定值，从而可能导致器件烧毁或损坏。

3、mos管栅极电压足够，当然会以比较大的电流给寄生电容充电，但是如果这个电流小了开关速度慢是不会烧管子的。倒是在实践中，虽然mos管是电压控制器件，为保护mos管，也经常在g端串联几十到几百欧姆电阻。

mos管电流（mos管电流计算公式）

1、输出电压和线圈的谐振频率有关，开关电源工作频率高出线圈谐振频率范围导致输出电压下降，同时损耗加大，反映出来的就是待机电流增加。

2、mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。

3、开关频率越高，开关管的开关速度就越快，因此开关损失也会更小。此外，高开关频率还可以减小开关器件的尺寸和重量，从而提高电源的功率密度和效率。

4、这变频器的原理是正常运转后电压越高电机越快，可以通过手动微调来调节电阻使振频加快电机速度就越快。这里有一个物理原理，频率越大电压越高，频率越低电压越低，但它们的电流是相反的。

5、那么驱动功率W=E*K，电流在电阻上的回路几乎可以忽略，这就为什么说MOS管静态损耗小的原因，可是作为开关管的话，电流大小就跟频率成正比，栅极的寄生电容是并联在G S极的，这个就是回路。

输入电流不等于MOS管的工作电流。2平均电流不等于峰值电流。

有效值又称均方根值，将电流波形——平方——在周期上取平均——开根。MOS管与续流管的选取均应该按照最大值计算，计算有效值并没有多大意义？这真的很难一下子说明白最好上硬之城看看吧。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。

Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；第三种：以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。

区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。

1、理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。

2、锂电池保护板电流是由保护IC检测电压和MOS管内阻决定的，如果保护IC无法更改，可以改MOS管，比如DW01与8205MOS，用一颗MOS管是2~5A，用两颗MOS管并联电流就会增加一倍。现在的大容量移动电源有的用3~4颗MOS管并联。

3、mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。