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mos管gs电阻（mos管做电阻接法）

发布时间：2023-08-05
阅读量：23

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为什么mos管的输入电阻很高?

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。

阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。

mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。

N沟道MOS管的结构及工作原理N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。

mos管漏源导通电阻

MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。

你好，MOS管DN3525N8-G导通电阻是 6 欧姆。

导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

cs50N20参数是FET类型耗尽型，超结低压，平面MOS，漏源电压（Vdss）200V，漏极电流(Id)50A，漏源导通电阻(RDS On)42，栅源电压(Vgs)2，栅极电荷(Qg)150，配置类型N。

怎样用万用表测量手机锂离子保护板mos管的内阻?

1、把万用表调到二极管档（蜂鸣档）测MOS管的引脚，两两来测，好的MOS管应该是gs，gd间不响；坏的MOS管，gs和gd都会响。这是万用表测MOS管好坏的方法，不知道能帮到楼主没。

2、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

3、用万用表直接测量NTC电阻值，再与《温度变化与NTC阻值对照指导》比较。用万用表直接测量识别电阻值，再与《保护板重要项目管理表》比较。

4、第一步：以0.2C/h的恒定电流充电至规定电压，例如设电池容量C=6Ah，则0.2C/h=0.26Ah/h=2A。第二步：存放1-4小时。第三步：以0.2C/h的恒定电流I1放电时，测出电池两端电压U1。

5、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

mos管关断电阻一般为多少

1、欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。

2、mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。

3、大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流，因为只是给寄生电容（P法级）充放电而已，栅极电阻倒是必要的，几百欧姆足以。

mos管gs间没有寄生二极管吗?表笔测量gs电阻怎么无穷大?

1、MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

2、用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。

3、应该正向导通，反向电阻无穷大。此时，剩下的就是g级，用R*1K档，黑表笔接g，红表笔接s，在g，s间充电，然后再将黑表笔接d，表指针会偏转，然后慢慢返回，说明管子是好的。

4、图中只有源极2与漏极3之间存在一个二极管，栅极1与源极之间并没有二极管。你大概把那个表示“P沟道”的箭头符号看成二极管了。箭头冲上指，表示P沟道，箭头冲栅极方向指，表示N沟道，并不表示二极管。

为什么万用表测不出mos管GS(源极和栅极)之间的压差?

判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。

由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。

用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）。

检查跨导，将万用表置于R×1k(或R×100)档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

判断电动车控制器MOS管好坏可以使用万用表欧姆档。用测电阻法去简单判断MOS好坏，就是用机械式万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

场效应管坏了漏极与源极之间的电阻为零欧。要遇到开路的那种一般都烧焦了。

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