光耦重要参数（光耦参数详解）

发布时间：2023-08-05

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1、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

2、它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。

3、HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。

4、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。

5、光耦817B导通电流最小是130mA，最大是260mA，正向压降为6V，最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

光耦重要参数（光耦参数详解）

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反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

常见的参数有：集电极电流Ic（Collector Current）光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。

这是其重要特性。在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：（1）光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。

最小工作温度：-55C度，最大工作温度：+100度。根据查询相关公开信息显示，光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V。

脚光耦的型号与参数大全有两个：亿光ELQ3H7为4通道光耦，16脚，台湾亿光品牌，相当于4个EL3H7，节约空间体积。可替代TLP291-4，PS2801-4等光耦。亿光ELQ3H4为4通道光耦，16脚，小脚距，交流输入四路。

光耦本身允许电流较小，就在光耦输出加装驱动晶体管，用晶体管集电极开路输出。继电器在低压运用时不用考虑电压问题，用光耦时必须考虑输出晶体管的耐压与集电极最大电流。

在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。反向电流Ir（Reverse Current）通常指在最大反向电压情况下，流过LED的反向电流。允许功耗Pd（Maximum Power Dissipation）LED所能承受的最大功耗值。

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

不管是信号输入端还是输出端，都要注意电源电压及限流。不要直接接电源而无负载电阻，这样要烧掉的。