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关于mos管导通方向的信息

发布时间：2023-08-05
阅读量：43

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无刷电机mos管电流方向

1、mos场效应管图形符号的箭头也是表示电流反向的，mos场效应管有P型沟道和N型沟道两种。

2、反过来流动也是可以的。对于普通水平导电的MOSFET，D极与S极是可以互换的，没有“必须”一说。对于V-MOSFET，因为存在反向的底村寄生二极管，D、S不再对称，反向电流可以不受栅极电压控制，通过二极管继续流通。

3、由于这个寄生二极管的存在，当沟道关闭后，mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。

4、布局：在逻辑电路中，NMOS通常被放置在PMOS的旁边，形成互补的MOS结构。这是因为NMOS和PMOS的电流方向相反，只有当两者一起工作时，才能产生有效的逻辑输出。

5、MOS管有四个极：漏极Drain，源极Source，栅极Gate，衬底Bulk。

MOS管打开时,是否正向和反向都能导通

在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

反向也是可以通的，当MOS管导通，D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路，可以看出导通方向是S到D，不是D到S。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。

mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。

场效应管如何给电平,才能导通或者截止,P沟道,N沟道两种。

1、看电路图的箭头是指向哪里，箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。场效应管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。

2、原理：两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电，N沟道的多数载流子是电子，p沟道是空穴，当沟道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路，电场消失，沟道消失。

3、场效应管是电压控制的元件，控制极和其他极不导通。N沟道的控制极高压时。漏极和源极导通。漏极流向源极。P沟道，一个很麻烦的元件。要负压控制。P沟道的控制极为低压（负电压）。漏极和源极导通。

4、控制上下管轮流导通，输出CPU主供电。上管的S极和下管的D极，和电感是直连的。这个导通条件，其实可以简单理解为：N沟通是高电平导通，P沟通是低电平导通。另外提醒一下，要区分电压和电平，两者是不一样的。

mos管的电流走向

1、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

2、MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

3、理想的mos管，不管nmos还是pmos，沟道打开的时候，电流可从源到漏，也可从漏到源。但是实际的mos管，由于制造工艺的原因，在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管。

4、如果NMOS的源极不接衬底，不接到地，那么只要是G-S正偏就可以，Vgs大于门槛电压，MOS就可以导通。电流可由D--S，也可S--D。主要是看源极和漏极之间的电位，漏极电位高于源极，电流D到S。

电力mosfet能否反向导通?

在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。

mosfet由于自身构造及工艺原因，在漏极与源极之间存在一个反向并联的寄生二极管 ，因此可以双向导通电流。

mos管电平导通与截止

看电路图的箭头是指向哪里，箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。场效应管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。

简单的说，mos管通过g端的电平来控制d与s端的导通，就像开关一样（g为按键，d与s分别为两边连线）。N、P型的区别，就是一个为正电压启动(NMOS)，一个为负电压启动(PMOS)。

放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。

是NMOS高电平导通，PMOS低电平导通。图中所示，从TP1和TP2来看，L=A非·B非=(A+B)非；从TN1和TN2来看，L=(A+B)非。

mos管导通和截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

关键词：无刷电机mos管 一个电阻 电阻的 mos管 体电阻 压控电阻 导通电阻 电阻 二极管处于 寄生二极管

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