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可控硅参数表（可控硅型号参数大全）

发布时间：2023-08-05
阅读量：34

本文目录一览：

可控硅BT136和BT139的参数和价格

1、可控硅BT137 600E可以代替BT136 600E。品名 = 8A四象限双向可控硅(TRIACs)。型号 = BT137-600E。电流 = 0（A）。电压 = 600（V）。结温 = 125（℃）。封装形式 = TO-220。管脚排列 = T1-T2-G。

2、BT136是4A双向可控硅，可用任何4A以上可控硅代用，只要耐圧达标即可。双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。

3、BT139是一款三端双向可控硅，电流：16A，电压：600V和800V，封装外形：TO-220AB非绝缘。

4、BT139是一款三端双向可控硅，管脚排列顺序是T1-T2-G，如下图所示：双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是TTG。

5、双向：Bi-directional(取第一个字母)三端：Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。

6、BT139-600E是一款双向可控硅 《 可控硅封装》：TO-220AB非绝缘封装外形。

bt151可控硅参数

1、BT151 晶闸管（也叫可控硅）(1) 产品型号：BT151-500R，BT151-650R，BT151-800R。飞利浦PHILIPS兼容型号。(2) 封装形式：TO-220。环保产品符合RoHS标准。

2、BT151不是三极管，是一个单向可控硅，参数如下：BT151-500R是500V5A，BT151-650是650V5A，BT151-800是800V5A。尽量使用原型号，当然参数比它大的就可以替代，如BT-153就是800V16A，完全可以替代。

3、它的标准参数如下：电流放大倍数（β）约为120，集电极—发射极电压（VCE）为45V，发射极—基极电压（VBE）为9V，集电极—基极电压（VCE）为5V，发射极最大电流（IC）为500mA，集电极最大电流（IB）为50mA。

4、将BT151字面朝自己，管脚向下，左边第一只脚是触发极，中间脚是阳极，和散热片相连，右边脚是阴极。

5、BT151是一只单向可控硅，额定电流5A，耐压800V。将万用表拨至Rx1Ω档，黑笔接阳极，红笔接阴极，用手捏触发极搭阳极，离开，就会看见表针偏转，证明可控硅已经导通。不触发的情况下，测量阴极阳极两脚阻值，不通为好。

BTA26—600B可控硅的详细参数?

工作电流：26A；工作电压：600V；控制极电流35-50毫安；产品封装：TO-220；脚位排列：T1-T2-G(A1-A2-G)，A1主电极，A2主电极，G门极。

BTA16-600B可控硅可用BT139系列、BTA16系列型号代换。BTA16-600B基本参数有，电流Igt：50mA，有效值：16A，电压，Vgt：5V等。参数与BT139系列、BTA16系列基本一致，可替换使用。

BTA16 600B是一款双向可控硅 《 可控硅封装》：TO-220AB绝缘封装外形。

常用可控硅主要参数

可控硅元件的主要参数及意义如下：(1)正向阻断峰值电压(UDRM)。它等于正向转折电压减去100V。(2)反向阻断峰值电压(URRM)。它等于反向转折电压减去100V。(3)额定正向平均电流(IT)。

弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。

- JST12X1000CW：额定电压为1000V，额定电流为12A，触发电压范围为0.8V到0V。- BCR8PM14L：额定电压为600V，额定电流为8A，最大耗散功率为5W。这些参数的不同可能会影响可控硅在不同应用中的性能表现。

BT1313及138参数一样：如图所示：600V反向重复峰值电压VRRM：600V通态平均电流IT：4A通态不重复浪涌电流ITSM：40A最高结温Tjm：110 ℃贮存温度。

3ct103可控硅的参数

1、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

2、可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。

3、⑴ 主电路阀侧额定工作线电压：≤1000V(50HZ)。⑵ 控制板工作电源：单相220V±10%；电流A≤0.15A。⑶ 控制板同步信号：三相同步，AC380V，50HZ，电流A≤10mA； 其他需定制。

4、可控硅元件的主要参数及意义如下：(1)正向阻断峰值电压(UDRM)。它等于正向转折电压减去100V。(2)反向阻断峰值电压(URRM)。它等于反向转折电压减去100V。(3)额定正向平均电流(IT)。

5、另严选可控硅各项参数指标符合感性负载的各项要求。同时可在输出端增加过压保护、阻容吸收、过流保护等。另考虑到功率因素，宜选用随机型光耦。

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