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可控硅参数表(可控硅型号参数大全)

发布时间:2023-08-05
阅读量:34

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可控硅BT136和BT139的参数和价格

1、可控硅BT137 600E可以代替BT136 600E。品名 = 8A四象限双向可控硅(TRIACs)。型号 = BT137-600E。电流 = 0(A)。电压 = 600(V)。结温 = 125(℃)。封装形式 = TO-220。管脚排列 = T1-T2-G。

2、BT136是4A双向可控硅,可用任何4A以上可控硅代用,只要耐圧达标即可。双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管。

3、BT139是一款三端双向可控硅,电流:16A,电压:600V和800V,封装外形:TO-220AB非绝缘。

4、BT139是一款三端双向可控硅,管脚排列顺序是T1-T2-G,如下图所示:双向可控硅属于NPNPN五层器件,三个电极分别是TTG。

5、双向:Bi-directional(取第一个字母)三端:Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”,也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如:意法ST公司、飞利浦-Philips公司,均以此来命名双向可控硅。

6、BT139-600E是一款双向可控硅 《 可控硅封装》:TO-220AB非绝缘封装外形。

bt151可控硅参数

1、BT151 晶闸管(也叫可控硅)(1) 产品型号:BT151-500R,BT151-650R,BT151-800R。飞利浦PHILIPS兼容型号。(2) 封装形式:TO-220。环保产品符合RoHS标准。

2、BT151不是三极管,是一个单向可控硅,参数如下:BT151-500R是500V5A,BT151-650是650V5A,BT151-800是800V5A。尽量使用原型号,当然参数比它大的就可以替代,如BT-153就是800V16A,完全可以替代。

3、它的标准参数如下:电流放大倍数(β)约为120,集电极—发射极电压(VCE)为45V,发射极—基极电压(VBE)为9V,集电极—基极电压(VCE)为5V,发射极最大电流(IC)为500mA,集电极最大电流(IB)为50mA。

4、将BT151字面朝自己,管脚向下,左边第一只脚是触发极,中间脚是阳极,和散热片相连,右边脚是阴极。

5、BT151是一只单向可控硅,额定电流5A,耐压800V。将万用表拨至Rx1Ω档,黑笔接阳极,红笔接阴极,用手捏触发极搭阳极,离开,就会看见表针偏转,证明可控硅已经导通。不触发的情况下,测量阴极阳极两脚阻值,不通为好。

BTA26—600B可控硅的详细参数?

工作电流:26A;工作电压:600V;控制极电流35-50毫安;产品封装:TO-220;脚位排列:T1-T2-G(A1-A2-G),A1主电极,A2主电极,G门极。

BTA16-600B可控硅可用BT139系列、BTA16系列型号代换。BTA16-600B基本参数有,电流Igt:50mA,有效值:16A,电压,Vgt:5V等。参数与BT139系列、BTA16系列基本一致,可替换使用。

BTA16 600B是一款双向可控硅 《 可控硅封装》:TO-220AB绝缘封装外形。

常用可控硅主要参数

可控硅元件的主要参数及意义如下:(1)正向阻断峰值电压(UDRM)。它等于正向转折电压减去100V。(2)反向阻断峰值电压(URRM)。它等于反向转折电压减去100V。(3)额定正向平均电流(IT)。

弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。可控硅的主要参数:1 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。

- JST12X1000CW:额定电压为1000V,额定电流为12A,触发电压范围为0.8V到0V。- BCR8PM14L:额定电压为600V,额定电流为8A,最大耗散功率为5W。这些参数的不同可能会影响可控硅在不同应用中的性能表现。

BT1313及138参数一样:如图所示:600V反向重复峰值电压VRRM:600V通态平均电流IT:4A通态不重复浪涌电流ITSM:40A最高结温Tjm:110 ℃贮存温度。

3ct103可控硅的参数

1、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。

2、可控硅的主要参数: 1 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。

3、⑴ 主电路阀侧额定工作线电压:≤1000V(50HZ)。⑵ 控制板工作电源:单相220V±10%;电流A≤0.15A。⑶ 控制板同步信号:三相同步,AC380V,50HZ,电流A≤10mA; 其他需定制。

4、可控硅元件的主要参数及意义如下:(1)正向阻断峰值电压(UDRM)。它等于正向转折电压减去100V。(2)反向阻断峰值电压(URRM)。它等于反向转折电压减去100V。(3)额定正向平均电流(IT)。

5、另严选可控硅各项参数指标符合感性负载的各项要求。同时可在输出端增加过压保护、阻容吸收、过流保护等。另考虑到功率因素,宜选用随机型光耦。

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