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1、而功率MOSFET由于是单极型器件,电流处理能力相对较弱,但由于其在开关过程中,没有载流子存储的建立与抽取,其频率特性好,用于高频低压领域。
2、电力MOSFET驱动电路的特点是:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。
3、IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,具有电导调制效应,其通流能力很强,但是开关速度较慢,所需驱动功率大,驱动电路复杂。
4、MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。
5、GTO具有再生性质(regenertive nature),因此导通的 GTO,其闸极驱动功率较功率电晶体小,但是比SCR大些。
1、ipm(intelligent power module),即智能功率模块,不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到cpu。
2、ipm:image per minute 表示每分钟可以打印的图像数。PPM和IPM是指扫描和打印的页数,其中,PPM是指双面,也就是完整的一张纸,IPM是指单面。
3、IPM 是 Images Per Minute,是ISO国际认证组织定的标准。指的是打印图像的平均速度(跟打印精度有关系)打印图像是打印的介质全覆盖、其速度会比打印文本速度慢很多,所以会有黑色,彩色的区别。
4、IPM:image per minute 表示图象打印速度。就是每分钟打印图像张数。打印机是计算机的输出设备之一,用于将计算机处理结果打印在相关介质上。衡量打印机好坏的指标有三项:打印分辨率,打印速度和噪声。
5、IPM,它的全称叫智能模块(IntelligentPowerModule),是先进的混合集成功率器件。
1、功率半导体器件,以前也被称为电力电子器件,就是进行功率处理的,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。典型的功率处理,包括变频、变压、变流、功率管理等。
2、功率器件是指能够承受高电流、高电压、高功率的电子元器件。常见的功率器件有场效应管、双极性晶体管、继电器、晶闸管、二极管、可控硅、三极管等等。
3、. 温度与功耗。这是一个综合性的参数,它制约了电流能力、开关速度等能力的提高。目前有两个方向解决这个问题,一是继续提高功率器件的品质,二是改进控制技术来降低器件功耗,比如谐振式开关电源。
1、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质,其电导率容易受控制,可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看,半导体非常重要。
2、功率半导体器件又称电力电子器件,主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行电能(功率)处理的核心器件,弱电控制与强电运行间的桥梁。功率半导体有两大作用,一是电源开关,二是电源转换。
3、功率半导体器件,也叫电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。原理是:通过控制门极信号控制功率半导体器件的导通和关断。半控型器件,只可控制其导通,不可控制其关断。全控型器件,导通和关断都可控制。
4、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。
5、大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上,电流在300A以上的开关器件,包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等,900V以上的mosfet也可称为大功率器件,但是要看相应的电流等级。
1、晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。
2、由工频二极管,高频二极管,三极管,稳压控制,光电控制,电阻,各种电容,振汤控制集成块,电磁元件,及lGBT开关管等组成。
3、电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。
4、一般来讲主电路开关管用IGBT或者MOSt管比较多,但是其它控制部分用到的东西太多了,dsp、各种电阻、电容、二三极管、芯片...还是去找本UPS的书来看吧。
5、双极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;单极型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管;复合型器件,例如MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT、SITH和IGCT。
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