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Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。
法则之二:确定MOS管的额定电流 该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
耐压值,额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数,其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
而MOS管是一个电压控制的电流源,用Ugs去控制IDS,Ids=gmUgs,gm是MOS管的低频跨导。
电压与电流的关系:成正比,关系式I=U/R。电压是形成电流的原因,当电压为0时,导体中不会有电流通过,即电流也为0。
电压不会随着电流改变,只有电流会随着电压而改变。电压是产生电流的“推动力”,可以通过实验,利用控制变量法,控制所有可能影响电流大小的其它因素不变,看在电压变化时,证明电流大小和电压有关。
何为逆变器逆变器(inverter,又称变流器、反流器,或称反用换流器、电压转换器)是一个利用高频电桥电路将直流电变换成交流电的电子器件,其目的与整流器相反。
逆变器工作原理逆变器是一种DC to AC的变压器,它其实与转化器是一种电压逆变的过程。
MOS管在电源控制IC的控制下轮流导通与截止,这样就有持续的电流供给CPU工作了,多相供电原理也是差不多的,只是相数多了几组,可以提供更大的工作电流。
N型MOS管四端器件 当栅源电压差小于阈值电压时(工作在亚阈值区),漏源之间有很小的电流,和栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压时,并且漏源电压较大时,漏源之间有较大电流,其与栅源电压成平方关系。
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