pwm驱动mos管电路设计（pwm信号mos驱动电路）

发布时间：2023-08-06

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这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。

这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

R40/R41是mosfet栅极驱动电阻，用于调节栅极导通关断时间，减小mosfet被噪声击穿的可能。C2D14是自举升压电路，用于驱动高压侧mosfet。

Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

用低端电压和PWM驱动高端MOS管。用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。gate电压的峰值限制。输入和输出的电流限制。通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。PWM信号反相。

你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。

1、这个电路通常被用在执行继电器、电动机或其他带有分立元件的装置的驱动器中。H桥电路的基本结构包括四个电源端、四个四极管和一些连接的电阻。控制信号通常是一个低电平或高电平的电压，用来控制四极管的导通状态。

2、控制电压与供电电压没有必然关系，控制电压是控制电路采用的电压，一般是直流24v或者交流110v，控制电路一般也与主电路通过继电器隔离。

3、这是1个典型的H桥驱动电路，CON2的2脚接电机。

4、然后设计合适我驱动电路，一般选用H桥，根据电机的参数设计好H桥中断各个电子元件的参数，也可以直接在市场上买到直流电机却动芯片(相当于H桥的集成电路）如LMD18200，不贵，淘宝上大概7元左右就可以买到。

5、可以利用单片机产生PWM方波)+4功率器件构成的H桥电路，用以驱动直流电机转动.当然还许多驱动方案，比如三极管-电阻作栅极驱动\低压驱动电路的简易栅极驱动，还有可以直接用个MCU产生PWM外加一个MOS管驱动也可以。

pwm驱动mos管电路设计（pwm信号mos驱动电路）

1、很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。

2、MOS管门极驱动电路属于直接驱动，电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，为10Ωm到100Ωm，R2是为关断时提供放电回路的，漏极和源极之间有一个寄生二极管，名为体二极管，在驱动感性负载上起重要作用。

3、这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。

4、MOS管与IDBT都是电压驱动元件。也就是栅极电压控制漏极或集电极电流。