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1、①、关于以上的这MOS管Sl2302是不能替代AO3400A管子的,原因是,向那SI2302属于N沟道MOS场效应管,参数是//耐压:20V//电流:1A,而那AO3400A也属于N沟道MOS场效应管,参数是//耐压:30V//电流:7A//。
2、相对于三极管,用小功率mos管,比如SI230SI2302,在实际使用中不是很理想,主要是微功率MOS管,容易烧坏,抗冲击能力太弱 尤其是mos管导通之后的内阻太低,容易被瞬间大电流冲击烧坏。
3、A2SHB是场效应晶体管,具体类别为:Mos管,SI2302。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
4、si2301是低压P沟道MOS场效应管,当漏极电流为3A时,压降约为.03欧姆。
5、A2SHB是场效应晶体管。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管。它属于电压控制型半导体器件。
其实这两颗mos管都是2302这个型号,只不过SI2302是市面上一般的2302打的中性标签,而SI2302DS是VISHAY的型号。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
①、关于以上的这MOS管Sl2302是不能替代AO3400A管子的,原因是,向那SI2302属于N沟道MOS场效应管,参数是//耐压:20V//电流:1A,而那AO3400A也属于N沟道MOS场效应管,参数是//耐压:30V//电流:7A//。
相对于三极管,用小功率mos管,比如SI230SI2302,在实际使用中不是很理想,主要是微功率MOS管,容易烧坏,抗冲击能力太弱 尤其是mos管导通之后的内阻太低,容易被瞬间大电流冲击烧坏。
ASEMI低压MOS管SI2302的参数为:最大电压为30V,最大电流为4A,Rds(on)为0.14Ω,漏极极容为7nF,能耗为8W,最大功耗为5W。
是的,G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
如果是并联,可以用电阻来均衡,但串联是没办法解决的,只能换功率大一些的管子。
开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
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