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MOC3041是过零检测双向可控硅输出光电耦合器，参数为：通态电流100ma，触发电流15ma，峰值电压400V，浪涌电流1A Vtm3v，Itm100ma ，隔离电压5KV。
这个图中并没有MOC3023，而用MOC3023时，它自带过零检测电路，并不需要另外的检测电路，用了也不起过零检测的作用。这是个仿真图，就仿真图而言，是可以输出一个与交流电同步的过零脉冲信号。
过零检测指的是在交流系统中，当波形从正半周向负半周转换时，经过零位时，系统作出的检测。有过零检测功能的光耦是零电压开通。
MOC3061 是带过零检测触发光耦，当去掉触发信号时需要等到电流出现零点的时候才会关闭，让BTA16断开。如果是时间不断开，可能是可控硅已经损坏了。更换损坏的元件。在目前的可控硅应用中都有类似的情况出现。
1、驱动电路顾名思义，就是驱动IGBT的：将输入的PWM信号转化成可以开通和关断IGBT的电平标准；使得驱动电流足以可以开通和关断IGBT（尤其是IGBT的Ice较大的时候）；使得PWM信号的上升时间和下降时间满足IGBT开通关断的要求。
2、IGBT模块的安装：为了使接触热阻变小，推荐在散热器与IGBT模块的安装面之间涂敷散热绝缘混合剂。涂敷散热绝缘混合剂时，在散热器或IGBT模块的金属基板面上涂敷。如图1所示。
3、这个就是变频器的驱动电路，Q6，Q7就是IGBT，要两相输出至少要4个单管的IGBT，因为IGBT一般都是用PWM触发控制的，你附的电路只是他的一相输出而已。
4、IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
5、大功率IGBT，需要大功率的驱动电路，一般要求能提供（+-）15V以上，电流1A以上，前后沿陡的控制信号，达不到要求，会发热或烧毁。要根据你的功率和频率设计驱动电路。
6、IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。
全波导通—可控硅触发以后，整个波形就是正弦波，在示波器上就是一条正弦曲线。
过零检测的目的是为了减小对电网的干扰。MOC3021是即时触发的，不带过零检测，使用这种光耦触发可控硅，在开启的瞬间，电流冲击会在电网上形成一个负跳变，幅度由电流的大小决定。这种跳变多了，电网自然就不干净了。
电位器RV2调整可控硅(TRIAC)的相位角，当VC3超过DIAC的击穿电压时，可控硅会导通。当可控硅电流降到其维持电流(Iholding)以下时(如下图2)，可控硅关断，且必须等到C3在下个半周期重新充电后才能再次导通。
过零时有触发信号才能触发过零型光藕，因此如果不能检测过零的点就需要保证触发信号有足够的宽度。
过零检测指的是在交流系统中，当波形从正半周向负半周转换时，经过零位时，系统作出的检测。有过零检测功能的光耦是零电压开通。零电压触发可控硅开通可以降低可控硅的开通损耗。
你的负载电压是否为半波。你在交流0度、180度、360度时是否有触发信号，每过半个周期的‘零点’时如果你没有保持触发信号那么他就有可能在下面半个周期就不会导通了。
过零光耦，其内部含过零检测，当有输入时，只有发生过零时刻才输出。驱动可控硅后，只能输出完整的半个周期或其整倍数。无法输出小于半个周期。一般用于通断控制。显然是不能用来移相控制导通角的。
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光耦A3140：3A最大峰值电流输出，5A最小峰值输出。35KV绝缘耐压 。3mA供电电流 。欠压锁定（UVLO）。300ns最大开关时间 。15-30V宽压工作环境 。工业级温度范围：-40-105度 。安全认证：UL，VDE3750 。
光耦是不能互换的原则上是用同型号的换。显示器和电源基本上都通用，如果是其它设配的电源板的就不能，因为有些启动电压不一样。一般电源里的光耦大部分可以用PC817换。
这个图中并没有MOC3023，而用MOC3023时，它自带过零检测电路，并不需要另外的检测电路，用了也不起过零检测的作用。这是个仿真图，就仿真图而言，是可以输出一个与交流电同步的过零脉冲信号。
R21电阻的值太大了。3V的电压，用300殴才行。那控制端KKG是什么，是单片机的引脚吗，要考虑能否驱动光耦的发光二极管，电流需要10mA以上呢。如果还不能动作，就还要增加驱动电流。
把负载放到上面，串联在第一阳极上。 去掉R5，直接短路。
过零检测的目的是为了减小对电网的干扰。MOC3021是即时触发的，不带过零检测，使用这种光耦触发可控硅，在开启的瞬间，电流冲击会在电网上形成一个负跳变，幅度由电流的大小决定。这种跳变多了，电网自然就不干净了。
MOC301MOC302MOC302MOC302MOC3052 都是不带过零触发的光耦。
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