mos管i-v曲线（mos管iv曲线都强反型）

发布时间：2023-08-06

阅读量：26

本文目录一览：

通过输出特性曲线和转移特性曲线来区分场效应管前，首先需要了解一个概念，场效应管是压控型器件，它区别于双极型晶体管（流控型器件），场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以，电流很小或者为零。

静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

很简单，看转移特性曲线所分布的象限即可。如果是增强型管子，曲线的全部都集中在一个象限中，P沟道全部在第三象限，N沟道在第一象限。

你需要注意的是学会看两个图，一个是转移特性曲线，还有一个是输出特性曲线。

打个通俗的比方：你在海上捕猎，耗尽型MOS管的特性是：在水里游但跳不过海面3米（假设海面为地电平=0），于是你逮它的时候可以在海面、海面下以及海面以上3米的范围内。

MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。

场效应管，输入阻抗高，电压控制电流，受噪声干扰大，放大倍数小；三极管，输入阻抗相对低些，电流控制电流，相对受噪声干扰小，放大倍数相对大。Ido是UGSQ为两倍开启电压UGS(th)时的一个值。

你问的应该是，MOS管内部的二极管，反向导通。一般MOS管，衬底由于存在流离的电子、空穴。对D S 都有流向，这个流向可以表示为二极管，即体二极管。然而S和衬底是连在一起的，所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。

Rg 的数值。MOS管的输入电阻很大，这个电阻不是为了提升输入电阻或者限流作用。在低频条件下，电阻小，可忽略。在高频时，MOSFET的输入阻抗将降低，而且在某个频率范围内将变成负阻，会发生振荡。

MOS管栅极不要输入电流，或者说静态输入电流为零。但是该图描述它含有3247pF电容，如果输入PWM信号，应该按照这个电容去考察它的充放电电流。百度到该管的“datasheet”，给出的栅极-源极最高电压+-20V。

mos管i-v曲线（mos管iv曲线都强反型）

1、N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

2、但是衬底浓度却不一样，nmos直接做在psub外延p-epi上面，而pmos 做在p-epi的nwell上面，所以nwell的杂志浓度比p-epi跟大一些，衬底浓度越大，对应mos管的阈值电压也越大，所以一般pmos的阈值电压都要比nmos要更大一些。

3、检查配件的规格。推挽电路的功率消耗主要在三个位置：mos管，变压器，二极管。mos管一定要选好参数，mos管本身的压降损耗，还有它的一个导通损耗和断开损耗，如果开关频率提高，它的损耗就会加大。

4、电动车控制器原理其实主要是为电流控制电路，负责驱动电机转动，并能随时进行调控，保障电动车正常运转。