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mos管做电阻（mos管做电阻接法）

发布时间：2023-05-20
阅读量：67

本文目录一览：

mos管栅极上串个小电阻是什么作用

1、MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷，不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。

2、一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S。

3、拉电阻实际就是输入电流在它上面流过展开一个工作输入电压，以便MOS工作。若无此拉电阻，电压受控元件是无法工作的，它不像普通电流受控的三极管一样，由栅流控制集电极电流。

4、MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

5、这个电阻是叫驱动电阻，一般来讲，值从0-数百欧姆都是可以的 一般来讲就是在MOS的温度和EMI折中 示波器里量测电阻前后对地波形，可以看到电阻前的PWM比后面的要直。

这是一幅结型N沟道的MOS管作为可变电阻电路图,请问ui增大时,uo是怎样变...

可变电阻，你就把它当一个电阻好了，只是这个电阻的阻值会变化而已。且DS和G之间是隔离的，没有连接。它跟R1是最简单的串联分压。关键的问题是，猜猜放大电路的类型。

大侠，图呢？好吧，没有图也没问题，所以的mosfet的图都差不多。 关于夹断。是因为Vdrain的电压增加，导致电子通道关闭（就是三角形的尖端）。你的理解也可以。如图： 没错。Cox，就是以二氧化硅为介质的电容。

翻到MOSFET的结构那张图。对于N沟道增强型MOSFET而言，只要UGSUGS(th)，就会出现反型层，也就是在S、D两个高浓度掺杂区之间出现N区，N沟道由此得名。

可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。

为什么mos管的输入电阻很高?

MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

因为它的控制极跟半导体之间隔着一层绝缘膜，她是靠电压。

阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。

P44页，倒数第4行。主要原因是：MOSFET的栅极和源极，栅极和漏极之间均采用二氧化硅绝缘层隔离，此时它的栅源电阻大概是10的10次方以上，要远远大于JFET。MOSFET的名字也很好的说明了这一点，金属绝缘栅型场效应管。

M0S管源极电阻是怎么计算的?

1、mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

2、开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻，它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关，一般计算应是：电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。

3、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

4、我现在用的是SN03A，一般是先算出初级的峰值电流，SN03A的CS引脚电压是0V，然后初步算出电阻。用0V/Ipk。这只是一个初步计算出来的值，在实际的应用中，再做调试。

隧道稳压器的优点

可靠性很高，有隔离干扰的能力。但这种电路的调节范围窄，一般只适应额定电网电压的10%，功率不容易做大，这显然无法满足电信部门的要求，所以一般不在考虑范围之内。

当电网电压出现波动时，电力稳压器的自动纠正电路启动，使内部继电器动作。迫使输出电压保持在设定值附近，这种电路优点是电路简单，缺点是稳压精度不高并且每一次继电器跳动换挡，都会使供电电源发生一次瞬时的中断并产生火花干扰。

稳压器的作用最明显突出的一点就是它能够将电流波动较大的电器输出电压控制在一个固定值范围内，以保证电路的通畅和电器的正常使用。

稳压器的优点是能够提供稳定的电压，从而保护设备免受电压波动的影响。它们还可以延长设备的寿命，提高设备的性能和可靠性。稳压器的缺点是它们通常比其他类型的电源更昂贵，而且它们的效率比较低。

三相稳压器优点有哪些 可靠性高，抗干扰能力强 高可靠性是电气控制设备的关键性能，采用严格的生产工艺制造，内部电路采取了先进的抗干扰技术，具有很高的可靠性；带有硬件故障自我检测功能，出现故障时可及时发出警报信息。

请问为什么MOSFET几乎不可能用作可变电阻

场效应管在漏源电压很低时，其漏源之间相当于一个可变电阻，在栅极的控制下，其阻值可以在几十欧至数兆欧之间变化。

mosfet的导通电阻可以做到几个mohm，但mosfet没有IGBT那么高的耐压，具体还是要看你的应用，栅电荷方面看，MOSFET具有优势，对于同样的栅极驱动力具有更快的导通速度，IGBT的话由于是双极结构在里面，关断过程会有拖尾现象产生。

开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。

MOSFET是场效应管 场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

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