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因为电子元器件损坏,电路板接触不良,散热不良。电子元器件损坏:逆变器一边发热,一边不热也有可能是逆变器内部的电子元器件损坏导致的。
如果还是原来那边发热,那就是变压器的绕制错误了,这是百分百的。这就是同型号的场效应管一边发热一边正常的原因。
这个跟日光灯没关系,是你的鱼机的问题。线路板设计部合理、底线电阻大都会使MOS一边发热。
一对做一千瓦不合适,单只电流过大,物理降温已经不能及时散热,或者换4只电流小点的管子就可以了。单边发热检查驱动电路的驱动信号,变压器绕制不规范,前级震荡频率过高过低都会引起单边发热现象。
变压器局部短路、变压器容量太小达到了磁饱和等都会加大开关管的负荷。
建议查看一下MOS管的栅极驱动电压,假如电压低于12V它的导通电阻就会比较大,工作电压降落在漏极和源极之间的电压就会比较高,那么工作电流乘以这个电压就成为发热功率。必要时需要专门用一个升压器,为驱动栅极工作。
1、对于高频磁性材料引起的损耗,要尽量避免趋肤效应,对于趋肤效应造成的影响,可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。
2、开关电源MOS管,和变压器升温过高是过载了,可以并联一个1k电阻分流。
3、:驱动频率过高。2:G极驱动电压不够。3:通过漏极和源极的Id电流太高。因此测试重点放在MOS管上,准确测试它的工作状况,才是问题的根本。
4、开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。
5、磁芯的温度,简单的说,一般开关电源主要来源是铜损与铁损 铜损来自于线圈自身损耗发热,毕竟漆包线是有阻抗的。铁损来自于磁芯的磁阻,这里当然也包含部分涡流成分在里面。
1、假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。
2、首先,MOS管发热的原因是什么?MOS选型不合理,内阻较大,或者是封装导热性不好,导致温升较高。散热效果不好,MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。
3、出现这种情况的原因是管子开关状态工作不良好,不迅速。原因如下:导通电阻太大(压降大)。驱动不足,或者是过驱动。驱动波形严重失真。驱动频率不对。管子参数不符合要求。
4、如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容(几百上千Pf )因此开关开通与关断过程很长,会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。
5、分析这次MOS管故障的原因,根据开关电源以前的所了解的,一般引起MOS管发热的原因是:1:驱动频率过高。2:G极驱动电压不够。3:通过漏极和源极的Id电流太高。
6、升压电路mos管过热噪声大的原因:电流太高,没有做好足够的散热设计,导致过热噪声大,MOS管标称的电流值,一般需要较良好的散热才能达到。压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热,变得过热噪声大。
1、驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为:I=cvf,考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f。
2、首先,MOS管发热的原因是什么?MOS选型不合理,内阻较大,或者是封装导热性不好,导致温升较高。散热效果不好,MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。
3、在用示波器测试过程中,要特别注意这两个测试点的波形,在逐步升高输入电压的时候,如果发现峰值电压或者峰值电流超过设计范围,并注意MOS管发热情况,如果异常,应该立刻关闭电源,查找原因所在,防止MOS管损坏。
通过测试结果分析后,改变栅极驱动电阻阻值,选择合适的频率,给MOS管完全导通创造条件,MOS工作后有效的降低了尖峰电压,又选择了内阻更小的MOS管,使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。
要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。
如果MOS管没有完全饱和导通,必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话,必须加足够的散热器。
驱动MOS管是大功率电子元件,温度太高使用寿命会缩短,是要花时间去解决,但是从实际中可知,解决方法如下供参考:改善周围环境温度 加装散热装置,如风扇、驱动MOS管周围采用压缩空气循环等。更换型号。
对抗性方法:强制散热,增大散热片面积,将MOS管与散热片紧贴(加硅胶),必要时采用强制风冷(风扇吹)等等。
建议你不要用换管的方法解决。换管会使主板失去保修。管子发热大小,与管子的规格没多大关系,也就是说换了也解决不了发热的问题。
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