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mos管的内阻（mos管内阻测试方法）

发布时间：2023-08-07
阅读量：17

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MOS管能否完全打开实验

可以。我们认为MOS管是电压控制型器件，其正常工作时是不需要电流的(开或关的稳态条件下)，只要有维持电压，MOS管即可保持开启或关闭状态。串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。

把电阻RS接到场馆的漏极（D极）与正电源之间即可。这样G极加上3~4V即可导通，RS上即可得到36V电压。

可以用作电子开关。简介：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

输入共源级放大器电路图。设置仿真环境。仿真并查看仿真结果，绘制曲线。

怎么测量mos管的导通内阻

把万用表调到二极管档（蜂鸣档）测MOS管的引脚，两两来测，好的MOS管应该是gs，gd间不响；坏的MOS管，gs和gd都会响。这是万用表测MOS管好坏的方法，不知道能帮到楼主没。

用测电阻法判别无标志的场效应管：首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。

将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

对于mos管来说直流电源内阻为零意味着什么

如果电源是理想电源，即内阻为零的话，路端电压一直都是电动势，没有所谓的最大最小之分了。

这样电源就无法满足越来越高的直流电压要求，所以在三极管放大电路交流通道中，就要用电容把直流电压置零。

而是在线圈内部产生电动势（这一瞬间，线圈好比一个电池，与电源正对正、负对负），阻止来自电源的电流流过线圈。所以在线圈通电瞬间，电流是逐渐增大的，直至稳定。作为直流电源来说，稳定后的电流值才是符合欧姆定律的。

与内阻是分压关系 电压源的内阻相对负载阻抗很大，负载阻抗波动就会改变电压高低。负载阻抗与内阻是分压关系，影响电压的稳定性！所谓理想电压源就是无论负载电阻如何变化！电路电流如何波动，其电源内阻永远为零。

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

怎样用万用表测量手机锂离子保护板mos管的内阻?

1、把万用表调到二极管档（蜂鸣档）测MOS管的引脚，两两来测，好的MOS管应该是gs，gd间不响；坏的MOS管，gs和gd都会响。这是万用表测MOS管好坏的方法，不知道能帮到楼主没。

2、用万用表直接测量NTC电阻值，再与《温度变化与NTC阻值对照指导》比较。用万用表直接测量识别电阻值，再与《保护板重要项目管理表》比较。

3、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

4、第一步：以0.2C/h的恒定电流充电至规定电压，例如设电池容量C=6Ah，则0.2C/h=0.26Ah/h=2A。第二步：存放1-4小时。第三步：以0.2C/h的恒定电流I1放电时，测出电池两端电压U1。

如题,比如MOS管就是这样,内阻小,输入阻抗高,内阻和输入阻抗的定义是不...

输入阻抗 输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗。在输入端上加上一个电压源U，测量输入端的电流I，则输入阻抗Rin就是U/I。你可以把输入端想象成一个电阻的两端，这个电阻的阻值，就是输入阻抗。

输人电阻是从放大电路输人端看进去的等效电阻，是用来衡量放大器对信号源影响的一个性能指标。

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

输出阻抗指不接负载时的放大器输出内阻，约相当于集电极电阻，但接上负载后输出电压会降低。在前级电路中要使电压不降低就要使输出内阻较小与负载阻抗较大。

mos管高内阻有啥问题?

1、mos输入阻抗大(在正常工作范围内可以认为是无限大)，GATE浮空时容易积累压差。而BJT(三极管)输入阻抗小。

2、MOS管的输入电阻很高是因为其输入端的门极是一个金属氧化物层（MOS）薄膜，相对于BJT（双极型晶体管）的PN结，MOS管的氧化层薄，所以输入电阻很高。具体来说，MOS管的输入电阻由金属氧化物层（MOS）的电容和漏电阻值组成。

3、MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

4、MOS管的输入阻抗高，意味着其输入端电阻很大，对输入信号的影响很小，输入信号的电流和电压不容易被影响和改变。因此，后级电路对前级电路的影响就会较小。

5、mos管对电压很敏感，一定不能过压；内阻过大，温度过高也能损坏。

6、无非就是两种情况：第一，MOS管的内阻太大；第二，MOS管未完全开启，内阻也是很大的。你用的这个MOS管不知道是不是IR原装的？如果是原装的，可能MOS管没有完全开启；如果是国产仿IR的，出现这种问题也是不足为奇的。

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