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mos的体二极管（mos 体二极管工作）

发布时间：2023-08-07
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怎样抑制mos体二极管反向恢复

mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。

考虑使用“肖特基”二极管，那种二极管反向恢复快，只是电流和耐压较小。

二极管在从正偏转换到反偏的时候，会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极，其反向电流先上升到峰值，然后下降到零。那么其上升下降的时间就是反向恢复时间，峰值电流就是反向恢复电流。这个在高频率的应用中会带来很大损耗。

关于二极管反向恢复电流的问题，我们以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。

海飞乐Qlong绝缘二极管采用独特的硅基工艺。可提供极低的反向恢复电荷Qrr，并具有软恢复特性，这使得它们非常适合CCM升压PFC，并在硬开关应用中用作输出二极管。

MOS管上的二极管什么作用

1、一般是起保护作用，并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。

2、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

3、MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的，其电阻极高，容易感应静电，导致击穿烧毁，为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去，当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷，从而起到保护MOS管的作用。

4、MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。

MOS管的体二极管能通过多大电流

1、这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管，实在不行换一个，或者在硬之城上面找找这个型号的资料。

2、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。

3、你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

4、短时间可以的，但发热巨大，所以一般设计的时候每换to220实际电流取值10a，这样就好多了。

什么叫体二极管

1、Body diode，直译过来就是体二极管，或者叫寄生二极管 这东西是MOS管工艺上的副产品，大多数时候能当普通二极管来用（比如驱动感性负载时做续流用），有时候设计中需要屏蔽它，因为它会让S到D的电流通过，MOS就无法关断了。

2、二极管是由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。

3、体效应二极管（FieldEffectTransistor，FET）是一种电子晶体管，它通过控制一个电场来控制电流的流动。与普通的晶体管相比，体效应二极管有较高的阻抗和较低的功耗。

4、二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

MOS管的体二极管,正向导通需不需要满足GS电压要求?

S到D，若SG之间电压大于Vgs很多(不是刚刚超过Vgs)，则S到D之间电阻与D到S电阻相同，为相当小的数值，可称为Ron。这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管。

IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。

是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。

电压必须大于正向偏压：在外加电源的作用下，二极管的正极电压必须大于二极管的正向偏压电压，才能导通。正向掺杂浓度要高： 正向掺杂的浓度对二极管导通电压起很大的影响，浓度越高，导通电压越低。

二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。

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