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1084mos管参数（4409mos管参数）

发布时间：2023-08-07
阅读量：21

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一般功率mos管的导通电流参数如何选择?

1、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

2、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。

3、法则之二：确定MOS管的额定电流 该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

mos管的最大持续电流是如何确定的?

1、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

2、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

3、MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。

4、参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要！要大的散热器帮助散热！DS接一个大功率的负载电阻(有可调的)，然后试着调整！但一般不这样做。

5、事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

6、看来，你没注意过其它MOS管的参数。一种习惯，把P管的电流写为负，N管写为正；晶体三极管也一样，PNP的电压写为负，NPN的电压写为正。

单片机输出电压不够驱动mos管

1、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

2、应该不行，既然用单片机处理，那么一般希望mos管工作在开关状态。因为mos管是电压驱动原件，饱和导通时电压一般在10V以上，而单片机一般的供电电压是小于等于5V的。

3、是否漏极电压3V选择过低等，对于三极管驱动不足是单片机高电平驱动时常见的现象，通常解决办法是在单片机输出口外接上拉电阻，以补充单片机拉电流驱动能力的不足，使得单片机输出高电平时三极管能够饱和导通。

4、A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。

5、用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。

6、如果没有的话，只用3V是不可靠的，MOS管可能因为处于放大状态而导致电机速度不够，也容易烧MOS管。如用24V做驱动，MOS管栅极可接5V左右的稳压管以防过压。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。

3、n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

4、N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

5、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

高分悬赏!谁能用最通俗的语言给我讲清楚MOS管的主要功用,及工作原理...

1、由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

2、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

3、导通阻抗是指MOS管处于导通状态时源极和漏极之间的电阻，这个数值越小导通效果越好；开启电压是指增强型场效应管加在栅极和源极之间的控制电压达到使之开始导通的电压值。

4、原因就在于它的源极S是连接在VDD上，而漏极D是接地的。通过输入端两个串联电阻的分压，栅极G的电位是低于源极的，这样就使得Ugs＜0，适当调节分压电阻值，可达到Ugs≦UTP，PMOS管就导通了。

关键词：1084mos管参数 导通电阻 电阻 4409mos管 驱动mos管 mos管 负载电阻

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