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频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。下拉电阻是防止G极残余电压误导通，不可太大或太小，10K到47K都可以。
mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
simulinkmos管g极应该连电阻。其中的三个脚g，d，s就对应实物的栅极，漏极和源极。
MOS管的G极驱动电压，即G、S极之间的驱动电压不应有300V这么高，通常驱动电压是不会超过20V直流幅值的。
1、gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。
2、MOS开关由GS电压空置SD闸。两个作用，1，GS电位突变变化保护作用。2，减少MOS震荡时间。
3、G，S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时，G级残压电荷，或是静电累积的电荷，就会在gs直接形成电场，差生电势差，而gs之间的门槛电压是很低的，容易导通，继而ds也导通。
4、mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
MOS管 GS电阻（输入电阻 ）【几十M～几百M】远大于双极三极管BE电阻【几KOhm】；而导通饱和时DS（输出电阻）【0.1 Ohm】一般又大于双极三极管CE电阻【0.5 Ohm】；导通线性放大时DS与CE相当【几百KOhm】。
mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K，那么并联的mos栅极与源极的泄放电阻是每个都用5k-10k还是加起来5k-10k。
1、gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。
2、串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。普通使用做开关控制，建议不要超过100欧。另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。
3、mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
4、MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。
5、电阻是用来保护MOS管，主要是限制驱动电流的作用。然后4148是用来加快关断速度的。
1、电阻的主要特性参数有两个：电压和电流。电阻是描述导体导电性能的物理量，用R表示。电阻由导体两端的电压U与通过导体的电流I的比值来定义，即R=U/I。
2、标称阻值 常用的标称阻值有EE1E24系列，如表1所示。实际阻值与标称阻值的相对误差称为允许偏差。常用的精度有±5%、±10%、±20%，精密电阻精度要求更高，如±2%、±1%和±0.5%~±0.001%。
3、常用的额定功率有1/20W、1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、5W、10W和20W等。 表3 电阻器额定功率系列 其中1/8W和1/4W的电阻器较为常用，但是在大电流场合，大功率的电阻器也用得很普遍。
串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。普通使用做开关控制，建议不要超过100欧。另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。
MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。
你好！这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。再具体的，你可以查下MOS管驱动电路的资料 如有疑问，请追问。
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