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光耦负电压（光耦工作电压）

发布时间：2023-08-07
阅读量：25

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光耦只要1.2端导通～3端接负电压4端也能有负电压?

光耦发送端就是个LED，可以传送模拟信号。但LED只能正向工作，所以只能传输一种极性的信号。传送纯粹的负电压将LED两端对调就行。传送有正有负的信号就得将信号平移成一种极性。

是直通的。但电流不大，多用于低压直流电路。

简单的说，不在路用指针表X10测量，单向导通的一侧是发射二极管，红表笔接的是发射二极管的负极，黑表笔接的是正极，这是光耦的控制端，也可以说是输入端；确定了一侧的两个脚后，余下的两个脚便是接收管的引脚。

首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。对24V输入来讲，光耦压降3V，剩余电压27V，对8k电阻，光耦原边电流约3mA，满足其要求。至于22k电阻，要看具体应用。

）1脚4V电压没啥问题；2）4脚输出电压取决于光耦的导通程度（低电平），调节R5就可以了。

光耦驱动电路原理：电流通过5V电源，送低电平到发光二极管，因为有电流通过而发光，电阻R2，T1就导通，T1的E和C，到地，光耦的发光二极管，电源VCC通过R3，到地，致使三极管接收端导通。

正电压和负电压被称为混合电压吗

电压又叫电势差，即电路中两点间的电势能的差值。因此的大小与你所取的两个点有关。当基点A（即参考点，也就是第一个点）的电势能大于第二个点B的电势能时，其电势差（电压）就是负值，反之则为正值。

问题四：负电压和正电压有何区别 相对于人为设置的一个参考点：零电位即接地点，比零电位高的电压称为正电压，比零电位低的电压称为负电压。

交流电压中的正负电压没有什么大的意义，因为它任意一点的电压是时刻在变化的，一会正一会负。正负仅仅代表了电子的流向。

正负电压，其单位都是伏特（v），之所以表明正负，是相对于零电压来区分的。也就是高于零电压的为正电压。低于零电压的用负电压来表示。在电路中，产生负电压，很简单，从整流二极管的正端输出，即为负电压。

正电压和负电压是有一个参照物的，正电压是指比参照物的电压高的，低的就是负电压。举个例子：现有一电压要求为0V那么比0高的就是正电压，小的就是负电压。

电压的大小是相对于选择的参考而言的，当实际电压低于比较电压时，电压值为负。当实际电压高于比较电压时，电压值为正。正负电压是根据参考零点（零电平，或者“地”）而定。最经典的零电平是大地，也就是地球的地壳。

变频器a3120光耦5脚虚焊的后果是炸了模块吧?

作用是：当光耦3脚有电流流过时，7脚输出高电平，驱动IGBT模块导通，当3脚发光二极管截止时，7脚的电压通过5脚负电源为负压，提供后级IGBT快速截止，这样就保证了IGBT不会损坏。

接线错误，也有可能导致变频器硅整流二极管模块炸裂。

IGBT三个输出模块， 6相控制信号，把输出端空出来，另一端接N 测6相电阻值是否相同， 静态电压是否相同，不行就把上下桥 6个光耦全换了，电容也换掉。去上模块试机，愿上天保佑你 阿门。

...上电继电器就吸合,测得继电器的负极有负电压,为什么

1、正极接地主要是为了防止电极的腐蚀。电信用蓄电池组-48V或-24V是正极接地，其原因是减少由于继电器或电缆金属外皮绝缘不良时产生的电蚀作用，使继电器和电缆金属外皮受到损坏。

2、继电器有常开触点和常闭触点，动触点就是一个公共端。当继电器的线圈通过直流电时候，带铁芯的线圈会输出对应的磁场，把衔铁吸附住，动触点从常闭触点这边，跑到常开触点那边去，相当于常开触点吸合了。

3、这个三极管工作于开关状态，和基极输入电压有关。当基极输入高电平(VCC)时，PNP三极管8550截止，继电器不动作；而当基极输入低电平时(0V)，三极管完全导通，继电器得电吸合。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

如何用负压控制光耦实现-26V转换为+5V电平,同时延时3秒钟?

首先要根据要处理的信号的频率来选择合适的光耦。高频（20K~1MHz）可以用高速带放大整形的光藕，如6N137/TLP113/TLP2630/4N25等。如果是20KHz以下可用TLP521。然后搭建转换电路。如将3V信号转换为5V信号。

即正输入端接0~3V，输出端到负输入端用10K电阻，负输入端对地用20K就OK了。

这个电路不是转换概念，是用48V电平来控制 i1点，输出5V电平信号。

关键词：光耦 2k电阻 发光二极管 发射二极管 整流二极管 3120光耦 电阻 继电器 k电阻

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