包含mos管09N03的词条

发布时间：2023-08-07

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MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

场效应管测量好坏的方法如下：是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

档位不变，将G极和D极短接，表笔接法不变，显示的电阻值应该非常小、接近零。如果是这样，表面上看管子是好的。P沟道场效应管，需要将红、黑表笔反过来接，其余步骤相同。

可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。场效应管的测量方法我们主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D极S极。

场效应管测量好坏方法（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极依据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，能够判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

包含mos管09N03的词条

1、单个三极管可以用场效应管代替多个三极管的功能单元可以用集成电路代替，但是都是不能直接代替的，只是功能上的一种代替，需要改变电路。

2、一般情况下不可以。你要弄情况，损坏的三极管是什么样的作用，如果是振荡用的话，大的三极管可能不符合要求，因为一般大功率器件的特征频率都不会很高。另外还有其他参数限制，例如放大倍数，反向击穿电压等。

3、作为开关管的MOS通常都一对一对的，所以一就是换回原来的86T02。如果不是就都换为另外一组MOS 假如不是作为开关管的话，可以拿其他N沟道MOS管来替换。当然参数不要相差太多。

4、用和原三极管性能比较接近的三极管代替，如没合适的代替三极管，只好用原三极管的型号了。

是代表D极耐流值为9A，N是代表N沟道（在主板上很少看到P沟道场管），03代表D－S耐压为30V，依次类推75N02，55N03，15N03，50N03等型号的管子，都是这样的定义。

可以用06N03 09N03 60N03 90N03代换。

Infineon有EIPB09N03LA，是N沟道MOS管。Vds 25 V， Rds(on) 9 m， Id 50 A的MOS管替代。有不同厂家生产这样的器件，09N03是关键词。不过，如果这个管坏了，故障估计不会只换这个管这么简单了。