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根据国家权威文件制定的标准，军工产品的国产化率是指由进口零部件的成本、保险费用和海运空运陆运费用，除以设备硬件、软件、所有零部件、技术指导和服务成本价格，得到的百分比。
(1)元器件的技术性能应满足产品要求。环境适应性应符合军品要求，一般为一55~C～125~C。(2)元器件的质量等级应符合产品的要求。(3)考虑降额的要求。
元器件技术要求首先是使用环境的要求，温度，军品，民用。第二是技术指标的要求，是否达到系统设计的要求。第三是低功耗的要求，包括电压。第四就是供货和商务的要求，有的要求长期稳定的供货。
目前按“七专”条件或其加严条件控制生产的元器件仍是航天等部门使用的主要品种。（注：“七专”指专人、专机、专料、专批、专检、专技、专卡）。
1、铂载量0.28mg/cm，功率密度4W/cm空冷膜电极在备用电源上实测数据，最高到18000小时。
2、国产膜电极较进口产品成本优势明显，带动燃料电池成本持续下行，2020年采用鸿基创能MEA的国鸿新一代“鸿芯”电堆成本已降至99元/W。短期国产化、规模化将是降本的主要推动，未来功率密度提升带来更大降本空间。
3、膜电极是氢燃料电池的核心组件，是燃料电池动力的根本来源，其成本占据燃料电池电堆的70%，占据燃料电池动力系统的35%。
4、进一步促进膜电极核心技术国产化替代率，提升了自主技术的全球竞争力。
5、铂使用量低：铂使用量为0.40mg Pt/cm2；可低湿度运行；封装牢固、耐水耐热性能优良； 稳定性好。
6、能够稳定、快速地生产高品质的膜电极。你可以去打听一下，世椿的产品在核心零部件、软件层、系统整合层都是很优秀的，可以向行业交付5合7合1模块化专机，也可以向行业直接用户交付整条智能化膜电极生产线。
1、成膜设备：机台国产化率约10-15%成膜设备分两大类， 机台市场份额约10-15% 。工艺流程： 在集成电路制备中，很多薄膜材料由淀积工艺形成。
2、技术性能要求：国产化的元器件必须能够满足军品的技术性能要求，包括抗干扰能力、抗辐射能力、工作温度范围等等。
3、去胶设备（国产率80%），这块国产化程度很高，而且已经做到了5nm工艺节点，几乎不用有任何担心。
4、中国的C919国产化率达到60%，不是有人说的100%国产化，主要零部件都是国外的，其实这样的国产化率也比美国的波音美国化率高，不完全的国产化有助于获得美国和法国的认同。
5、实现伪空包数据包国产化需要从多个方面入手，包括算法研究、协议设计、硬件实现等。
嘉航 嘉航算是国内一线电源品牌之一了。质量、稳定性不用说，功率也是实打实的。此外，作为大品牌，在售后服务方面也是令人满意。长城机电 长城机电同样是国产一线品牌之一。
博世 博世是德国的工业企业之一，从事汽车与智能交通技术、工业技术、消费品和能源及建筑技术的产业。卡儿酷 深圳市华思旭科技有限公司是汽车多功能应急启动电源解决方案供应商。
哪个品牌的电源比较好？电源的品牌比较多，比较知名的有：海韵、振华、台达、全汉、EVGA、酷冷至尊、分形工艺、安钛克、海盗船、航嘉、长城、先马、鑫谷、康舒、安耐美、银欣、金河田、华硕、Tt、恩杰等等。
深圳市优秀民营企业，中国电源学会副理事长，中国照明学会团体会员，中国大陆较大的PC电源、家电配套生产基地之一。
广州金升阳，金升阳在电源模块行业是一个比较知名的企业，公司产品主要集中在低功率的电源模块。有着不错的市场份额。其中产品主要以30W以下的产品为主！在很多地方都有代理。
1、所占份额达全球光刻机份额的95%，而这一次宁波南大光电材料有限公司在ArF高端光刻胶中的突破也预示着国产半导体的逆势崛起，将打破美日企业在高端光刻胶领域上的垄断。
2、半导体国产替代进程加快 2017年以后，国内半导体设备企业的自主化率水平持续加快，实现了多个从0到1的突破，国产替代已成为国内半导体行业的发展新趋势。
3、中颖电子 ：一季度净利润0.42亿元，同比增长30%，公司海外收入占比29%，是国产家电MCU主控芯片的领军企业，受益于国产替代份额明显提升。以上分析是板块可能爆发的短期逻辑，实际上，半导体产业具备很强的长期逻辑。
4、公司成功地打破了国外制造商在半导体芯片领域对化学机械抛光液的垄断，实现了国产替代 ，并使中国企业在该领域具有独立的供应能力，公司的10-7nm技术节点产品正在开发中。
5、所以总体来看，半导体国产替代其实各个环节都是机会，毕竟目前在所有领域都是较为落后的，甚至上下游的材料，设备方面都落后，所有的企业在任何领域，有扎实的基础，都会迎来大发展的。
6、清纯半导体是国内碳化硅领域最优秀的初创公司之一，团队拥有行业内最丰富的碳化硅设计和制造经验，公司成立仅一年多时间即完成SiC MOSFET产品研发并通过车规认证，产品性能比肩海外同行，有望在电动车主驱等环节率先实现国产化”。
东莞市瑞亨电子 科技 有限公司近日成功量产了一款65W氮化镓快充充电器，除了1A1C双口以及折叠插脚等常规的配置外，这也是业界首款基于国产氮化镓控制芯片、国产氮化镓功率器件、以及国产快充协议芯片开发并正式量产的产品。
同时结合超低热阻的DFN封装进行巧妙设计，体积与市面上65W 氮化镓快充大小相当，全面实现小型化。
芯仙半导体120W氮化镓快充方案已经处于量产调试的最后阶段，上市之后将能够一次性满足消费者对多口快充、大功率快充、小体积快充等多方面的需求。
通过自主研发的技术，摆脱国外依赖和限制，好消息是，国产芯片再次“破冰”，三大核心技术被攻克，分别涉及材料、技术、设备。首先是材料，由南大光电研发的ArF光刻胶已经通过国家级验收，而且具备ArF光刻胶产品销售能力。
关键词：电源产品元器件
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