行业资讯

行业资讯

通过我们的最新动态了解我们

首页 行业资讯
返回上一级

mos管恒流电路（mos管恒流电路图）

发布时间：2023-08-07
阅读量：26

本文目录一览：

请教三极管与mos管组成的恒流电路的恒流取样电阻的计算??

1、Q2完成电流恒定；R1是电流取样电阻；Q1完成R1的取样信号放大，给Q2提供负反馈，可以看成Q2的自动可变下偏置。计算时要已知Q2Ic，也就是你要恒定的电流。R1=0.7v/Q2Ic。Q2Ib=Q2Ic/βQ2。

2、三极管的型号任选一款小功率NPN型三极管即可，即便是小功率三极管，集电极额定电流通常也能满足20mA的要求。假设三极管的电流放大倍数β不低于100，那么R2的阻值选用0.6V/20mA=30Ω，R1的阻值3k~5k就可以。

3、在一些开关电源电路中，这个结构用来给三极管提供偏置电流。电流计算公式为： I = Vin/R1值得一提的是，以上这些恒流源并不都适合安培以上级别的恒流应用，因为电阻上面太大的电流会导致发热严重。

4、恒流源就不用考虑LED两端的电压问题了，R2的电压是0.7V，电流320mA所以R2＝2Ω，0.5W。假设Q1的β＝100，则计算基极电流和集电极电流：基极电流：Ib1=320－0.7V/2Ω≈2μA。

5、Vbe的电压一定，硅型三极管是0.7V，锗型是0.3V，那么R1的电阻知道后，就知道流经的电流时多大，就是你所写的公式 I = Vbe/R1，这个“Vbe”是指下面那个三极管的基极——发射极电压，“I“是R1电流。

运放和MOS管构成的数控恒流电路中,MOS管是工作在开关状态吗

1、可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。

2、开关电源里面的MOS管都是工作在开关状态。

3、MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

4、MOS管作为开关使用时，主要是工作在饱和区及截止区。若做放大用，主要是工作在线性区。

5、在这种情况下输出端没有电流通过。 mos管的工作原理 当给定的正反馈条件满足后，若将控制电路中的控制电压加在栅源之间以形成负反馈回路，则可使晶体管导通而达到放大目的；反之亦然。

恒流源电路的输入要求

因为输入级需要是恒压源，所以可以采用具有电压饱和伏安特性的器件来作为输入级。

基本的恒流源电路主要是由输入级和输出级构成，输入级提供参考电流，输出级则输出需要的恒定电流。所以为了保持输出的稳定，就必须保持输入电压要稳定，也就是输入级至少是恒压源。输出级的电阻尽量大。

你的那个LM337的电路没有恒流输出功能。

的要求。恒流源电路要能够提供一个稳定的电流以保证其它电路稳定工作的基础。即要求恒流源电路输出恒定电流，因此作为输出级的器件应该是具有饱和输出电流的伏安特性。这可以采用工作于输出电流饱和状态的BJT或者MOSFET来实现。

正因为Io=UI/R2，电路输入电压UI控制电流Io，即Io不随RL的变化而变化， 从而实现压控恒流。 同时，由设计要求可知：由于输出电压变化的范围U〈=10V，Iomax=2A，可以得出负载电阻RLmax=5欧。

下图是典型的恒流源电路，基准电源Vref，采样电阻RS。电路分析：可以看出它实际上就是一个加法电路：它的输出Vo是由两个输入Vref、Vo叠加的结果。

p沟道耗尽型mos管在恒流区条件

结型场效应管需要加反向电压使两边的pn结的耗尽层变宽从而改变导电沟道的宽度使其介于预夹断与夹断之间的区域，即恒流区。

mos管V(gs)大于夹断电压Vt时V(ds)之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。

关键在于MOS管的结构和工作原理。你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。

B：在截止区 C：在截止区 D：可能在恒流区 场效应管要想工作在恒流区，管子必须处于导通状态，且栅源极之间的电压Ugs必须恒定。B和C选项这一类管子，栅极电位必须高出源极的电位一定值（超过开启电压），否则无法导通。

mos管电路工作的原理是什么及详

工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。

MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。

MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

关键词：p沟道耗尽型mos管 电流取样电阻 三极管与mos管 mos管 三极管的型号 电阻的 取样电阻 功率三极管 电阻 三极管的电流放大倍数 可变电阻

上一篇：两mos管串联（两个mos管）下一篇：南通开关器件厂家排名（江苏南通电器厂）
返回列表
相关新闻

一点销电子网

Yidianxiao Electronic Website Platform

Tel：0512-36851680
E-mail：King_Zhang@Lpmconn.com
我们欢迎任何人与我们取得联系！
请填写你的信息，我们的服务团队将在以您填写的信息与您取得联系。
*您的姓名
*电话
问题/建议
承诺收集您的这些信息仅用于与您取得联系，帮助您更好的了解我们。